佐賀大学 理工学系 理工学部 電気電子工学部門の大石 敏之(おおいし としゆき)教授は、電子デバイス、特にパワー半導体と高周波デバイスの研究を専門とされています。
🔬 主な専門分野・研究テーマ
大石教授の研究は、主にエネルギー効率化と次世代高速通信を支える半導体デバイスの高性能化に焦点を当てています。
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次世代パワー半導体デバイス:
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ダイヤモンド半導体: 究極のパワー半導体材料として期待されるダイヤモンドを用いたデバイスの研究開発。高い出力電力と高耐圧化を実現し、真空管が担っていた領域(高出力・高動作周波数)を半導体で代替することを目指しています。
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💡 共同研究により、従来の記録を大幅に更新する高出力電力および高出力電圧を達成した実績があります。
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窒化ガリウム(GaN)パワー半導体: GaNを始めとするワイドバンドギャップ半導体を用いた、高効率な電力変換デバイスの研究。
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電子デバイスの評価・モデリング:
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半導体デバイスの性能を低下させる**トラップ(欠陥)**の評価技術の開発。
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大信号におけるトラップの物理解明と、それを回路設計に利用するための回路モデル化に関する研究。
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高周波デバイス・回路:
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高周波・高出力動作が可能なデバイスの設計と、それを応用したマイクロ波集積回路の研究。
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🌟 研究の特色
大石教授の研究は、単に新しい材料を使うだけでなく、そのデバイス内部の挙動を詳細に診断し、高性能化に必要な物理的メカニズムを解明することに強みがあります。これは、デバイスを設計・製造するプロセスと、実際に回路として応用するものづくり技術の両方に関わる重要な研究です。
佐賀大学は、九州地方における半導体産業の基盤強化を目的とした「さが半導体フォーラム」にも参画しており、大石教授はその中心的な研究者の一人として、教育内容や半導体デバイスの高性能化に向けた診断技術について情報提供を行っています。
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