ヘテロジーニアス・インテグレーション（異種チップ集積）は、半導体の性能向上を牽引する重要なトレンドです。その中核を担うのが、Intelが開発した**EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）**技術です。
EMIBは、従来の「インターポーザ」方式の弱点を克服し、より柔軟で高効率なパッケージングを可能にします。
1. EMIBとは何か？
EMIBは、パッケージ基板の中にシリコン製の小さな「橋（ブリッジ）」を埋め込む技術です。
通常、異なるチップ（CPU、GPU、メモリなど）を接続する場合、チップの下に巨大なシリコン層（シリコン・インターポーザ）を敷く「2.5Dパッケージング」が一般的でした。しかし、EMIBは接続が必要な部分にだけ小さなシリコン片を配置します。
EMIBの主な特徴
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局所的な接続: 必要な箇所だけにシリコンブリッジを埋め込むため、コストが抑えられる。
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高密度な配線: シリコン技術を用いるため、基板の配線よりもはるかに微細なピッチでチップ間を接続できる。
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低遅延・広帯域: チップ間の距離を短縮し、データ転送速度を劇的に向上させる。
2. 従来の2.5D技術（TSV方式）との違い
EMIBが登場する前は、TSV（シリコン貫通電極）を利用した大型のインターポーザが主流でした。両者の比較は以下の通りです。
| 特徴 | シリコン・インターポーザ (2.5D) | EMIB |
| コスト | 高い（大きなシリコン片が必要） | 低い（必要な箇所のみ） |
| 製造難易度 | TSVの穴あけ工程が複雑 | 比較的シンプル |
| 設計の柔軟性 | サイズに制限がある | 高い（複数のブリッジを配置可能） |
| 厚み | インターポーザ分、厚くなる | パッケージ内に埋め込むため薄型化が可能 |
3. ヘテロジーニアス・インテグレーションへの貢献
「ムーアの法則」が物理的な限界に近づく中、単一の巨大なダイ（モノリシック）を作るよりも、機能ごとに最適なプロセスルールで製造した小さなチップ（チップレット）を組み合わせる手法が主流となっています。
EMIBはこの**「チップレット・エコシステム」**を支える重要なインフラです。
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異なるプロセスの統合: 5nmの演算チップと、14nmの入出力（I/O）チップを一つのパッケージ内で高速接続できます。
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HBM（高帯域幅メモリ）の搭載: GPUやAIアクセラレータのすぐ横にHBMを配置し、EMIBで直結することで、AI処理に必要な膨大なメモリ帯域を確保します。
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歩留まりの向上: 小さなチップを組み合わせるため、巨大なチップを作るよりも製造時の不良品リスクを低減できます。
4. 進化するEMIB：Foverosとの組み合わせ
Intelは現在、EMIB（水平方向の接続）とFoveros（垂直方向の積層）を組み合わせた**「Co-EMIB」**という技術を展開しています。これにより、3次元的にチップを配置し、文字通り「積木」のように自由自在な半導体設計が可能になっています。
出典：Google Gemini
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