EMIB vs. CoWoS 詳細比較

EMIB（Intel）とCoWoS（TSMC）は、どちらもチップレットを高速に接続するための2.5Dパッケージング技術ですが、そのアプローチと構造には明確な違いがあります。

NVIDIAのGPU（Blackwellなど）が採用しているCoWoSに対し、Intelは自社製品やFoundry事業でEMIBを武器に「コストと拡張性」で対抗しています。

比較項目	EMIB (Intel)	CoWoS (TSMC)
基本構造	パッケージ基板内に小さなシリコンブリッジを埋め込む。	チップ全体の下に巨大なシリコン層（インターポーザ）を敷く。
コスト	低い。シリコンを必要な箇所（接続部）にしか使わないため。	高い。チップ全体の面積をカバーする巨大なシリコン片が必要。
歩留まり	良好。小さなブリッジのみを検査・配置するため、欠陥リスクが低い。	課題あり。インターポーザが大きくなるほど、1箇所でも欠陥があれば全体が不良になる。
パッケージサイズ	拡張性が高い。120mm角を超える超大型パッケージも実現可能。	制限あり。露光装置の限界（レチクルサイズ）により、大型化に物理的制約がある。
熱膨張（CTE）	シリコン面積が小さいため、基板との熱膨張差による歪みが起きにくい。	巨大なシリコン層があるため、熱による反り（ワーページ）が発生しやすい。
主な採用製品	Sapphire Rapids / Granite Rapids (Xeon), Meteor Lake	NVIDIA H100/B200, AMD Instinct, Apple Mシリーズ (Ultra)

1. TSMC CoWoS の強みとバリエーション

CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）は、現時点で最も実績があり、信頼性が高いデファクトスタンダードです。TSMCは弱点である「コスト」や「サイズ制限」を克服するため、以下の派生技術を展開しています。

CoWoS-S: 標準的なシリコンインターポーザを使用。最も高性能だが高価。
CoWoS-R: シリコンの代わりにRDL（再配線層）を使用し、コストを低減。
CoWoS-L: EMIBに似た手法。RDL基板の中に「LSI（Local Silicon Interconnect）」というブリッジを配置し、大型化とコスト削減を両立。NVIDIAのBlackwellで採用。

2. Intel EMIB の戦略的優位性

IntelのEMIBは、後発ながら「経済性」と「巨大化」に特化しています。

「レチクルサイズ」の壁を超越: 半導体露光装置が一度に露光できる面積（レチクルサイズ）には限界がありますが、EMIBは小さなブリッジを複数配置するだけなので、インターポーザのサイズ制限に縛られません。2026年以降、Intelは120mm×120mmを超える巨大なAIプロセッサの製造を計画しています。
EMIB-Tの登場: 2025年後半から2026年にかけて、TSV（シリコン貫通電極）を統合したEMIB-Tが登場します。これにより、垂直方向の電力供給効率が向上し、HBM4（次世代メモリ）の統合がさらに容易になります。

3. 2026年の市場展望

かつては「AIチップ＝CoWoS」一択でしたが、2026年現在は分散化が進んでいます。

ハイエンドAI: 引き続きCoWoS-Lが主流（NVIDIA Rubinなど）。
ASIC・カスタムAI: コストパフォーマンスと設計の柔軟性を求め、GoogleやAWS、Qualcommなどの大手顧客がIntelのEMIBを採用する動きが加速しています。

出典：Google Gemini

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