TGV（Through Glass Via）技術

ガラス基板（Glass Core Substrate）の実装において、**TGV（Through Glass Via）**は高周波特性を決定づける最重要技術の一つです。25GHz帯のフィルタ設計において、TGVがどのような役割を果たし、どのような技術的課題があるかを深く掘り下げます。

1. TGVの構造と役割

TGVは、厚さ数百μmのガラス基板を垂直に貫通する導通孔です。シリコン基板のTSV（Through Silicon Via）と比較して、以下の点が25GHz帯の設計に有利に働きます。

低インダクタンスの実現: ワイヤボンディングに比べ、垂直に信号を通すため配線長が最短となり、寄生成分を極限まで抑えられます。
電磁シールド（SIW構造）: フィルタの周囲にTGVを密集させて配置することで、擬似的な導波管（SIW）の壁面として機能させ、不要な放射を抑制しアイソレーションを向上させます。
インピーダンス整合: TGVの径と配置ピッチを調整することで、垂直方向のインピーダンスを50Ωに整合させることが可能です。

2. ガラス穿孔（穴あけ）プロセス

25GHz帯で高いQ値を維持するためには、滑らかで精密な穴あけが求められます。主な手法は以下の通りです。

レーザー誘起ディープエッチング（LIDE）: ガラスにレーザーで変質層を作り、化学エッチングで一気に穴を広げる手法です。内壁が極めて平滑（低粗度）になるため、高周波での導体損失を抑えるのに適しています。
サンドブラスト / 放電加工: コストは低いですが、微細化や壁面の平滑性の面で高周波フィルタには不利になる場合があります。

3. 導体充填とメタライズ

穴をあけた後、電気を通すための銅（Cu）などを充填・成膜します。

共形めっき（Conformal Plating）: 穴の壁面に沿って薄くめっきを施す手法。
完全充填（Via Filling）: 穴を完全に銅で埋める手法。熱伝導性が向上し、放熱に寄与しますが、ガラスとのCTE（熱膨張係数）差によるクラックのリスクを考慮する必要があります。

4. 25GHz帯における設計上の留意点

寄生容量と共振

TGVは一種の円筒状キャパシタとしても機能するため、特定の周波数で共振を起こす可能性があります。25GHz帯の信号を通す場合、TGVの直径（一般的に30μm〜100μm程度）とピッチがフィルタの阻止域特性に影響を与えます。

スキンエフェクト（表皮効果）

25GHzでは、電流は導体表面の極めて薄い層（約0.4μm）を流れます。TGV内壁の粗度が大きいと、実効的な配線抵抗が増大し、フィルタの挿入損失が悪化します。そのため、前述のLIDEなどのプロセス選定が重要になります。

電磁界シミュレーションの必要性

平面回路（2D）の計算だけではTGVの垂直方向の影響を正確に見積もれません。HFSSやCSTなどの3次元電磁界シミュレータを用い、TGVを含めたde-embeddingモデルを作成することが、設計値と実測値を一致させる鍵となります。

次のステップとして提案できること

より詳細な実装検討のために、以下のようなサポートが可能です。

TGVの径とピッチを変更した場合の透過特性（S21）の変化の試算
ガラス基板とAMD RFSoCなどのSOMを接続するためのインターポーザ設計への応用
25GHz帯におけるTGVの寄生インダクタンスをキャンセルするマッチング回路の検討

具体的な基板厚や想定しているビア径など、設計条件についてお聞かせいただけますか？

出典：Google Gemini (Gemini は AI であり、間違えることがあります。)

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