エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)

エクストリーム・レーザー・リフトオフ（XLO）は、東京エレクトロン（TEL）が提唱・開発した、**「削らずに剥がす」**という次世代のウェハ薄化技術です。

2024年12月には、この技術を搭載した量産装置「Ulucus™ LX」が正式にリリースされ、2026年現在の先端半導体（特にAI用チップや3D積層デバイス）の製造ラインにおいて、従来の研削（グラインディング）を置き換える革新的プロセスとして注目されています。

1. XLOの仕組み：アブレーションによる界面分離

従来の技術では、ウェハの裏面をダイヤモンド砥石で「ガリガリと削る」ことで薄くしていましたが、XLOはレーザー光を使って一瞬で分離させます。

ウェハの接合: 2枚のシリコンウェハを永久接合（パナマレントボンディング）します。
レーザー照射: シリコンを透過する特定の波長のレーザーを、裏面（除去したい側）から照射します。
界面アブレーション: レーザーエネルギーが接合界面付近の非常に薄い層に吸収され、瞬間的な熱分解（アブレーション）が発生します。
リフトオフ（剥離）: 界面の結合が断たれ、上のシリコン基板が「ペリッ」と剥がれます。

2. 従来技術（研削）との圧倒的な違い

XLOが「エクストリーム（究極）」と呼ばれる理由は、その効率性と環境性能にあります。

比較項目	従来の研削 (Grinding)	エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)
加工時間	数十分（少しずつ削る）	数秒〜数分（一気に剥離）
水の使用量	大量の純水が必要（洗浄用）	90%以上の削減
シリコンの行方	全て「削りカス（廃液）」になる	基板のまま回収・再利用が可能
ストレス/ダメージ	機械的振動や応力がかかる	非接触のためダメージが極小
TTV（厚み精度）	削りムラが発生しやすい	接合面で決まるため極めて均一

3. なぜ今、XLOが必要なのか？

2026年の半導体製造において、XLOが不可欠となっている背景には「3D積層」の深化があります。

エッジトリミングの不要化: 従来の研削では、ウェハの端が欠けないように「エッジトリミング（端をあらかじめ削る）」が必要でしたが、XLOはこれを不要にします。その結果、ウェハの端ギリギリまでチップを作れるようになり、1枚のウェハから取れるチップ数（収率）が向上します。
シリコンの再利用（サステナビリティ）:

これまでは高価なシリコンウェハを「粉」にして捨てていましたが、XLOなら剥がした側のウェハを再び別の製品の基板として再利用できます。これはコスト削減だけでなく、半導体業界のCO2排出量削減における切り札となっています。
BSPDN/3D積層への最適化:

数ナノメートル単位の制御が求められる裏面電源供給（BSPDN）や、何層にも重ねる3D積層では、削る際の物理的な衝撃が故障の原因になります。非接触のXLOは、このリスクをゼロに近づけます。

4. 市場の動向

この技術は、**東京エレクトロン（TEL）**が先行しており、同社の装置「Ulucus™ LX」は、レーザー照射から剥離後の洗浄までを1台で完結させる「オールインワン」の強みを持っています。

一方、研削装置で世界トップの**ディスコ（DISCO）**も、レーザーリフトオフ（LLO）技術をマイクロLEDやパワーデバイス向けに展開しており、シリコンウェハの「削る派」と「剥がす派」の技術競争が、2026年の製造現場を熱くしています。

[NOTE]

用語の整理: 一般的な技術名は「レーザーリフトオフ（LLO）」ですが、東京エレクトロンがシリコンウェハ同士の高度な剥離向けに特化させた呼称が「エクストリーム・レーザー・リフトオフ（XLO）」です。

出典：Google Gemini

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