半導体CV特性アナライザの主要指標

指標項目 説明・詳細 備考
測定周波数範囲 測定に使用するAC信号の周波数範囲。例:1 kHz〜2 MHz以上 高周波(HF)・低周波(LF)CV測定に対応しているか要確認
DCバイアス範囲 デバイスに印加可能なDC電圧の範囲。例:±100 V、最大±2000 Vなど パワーデバイス用途では高電圧対応が重要
AC信号振幅(VAC) CV測定に使用されるAC信号の振幅。例:10 mV〜1 V 小信号測定か大信号印加か、材料・デバイスにより異なる
容量測定レンジ 測定可能な静電容量の範囲。例:1 fF〜1 μF MOSキャパシタや微小構造体では高分解能が求められる
容量測定分解能 最小ステップで測定可能な容量の単位。例:0.1 fF、1 fFなど 微細プロセスや先端材料の評価では重要
測定速度(サンプリングレート) 電圧ステップごとの測定時間。例:1 ms/point以下 高速スイープによる信頼性試験・大量測定に有効
準静的測定対応 Quasi-Static CV測定の対応有無 トラップ準位評価や絶縁特性解析で必要
漏れ電流モニタ機能 CV測定中のDCリーク電流を同時モニタ可能かどうか 高電圧印加時の安全性・信頼性評価に有効
ドーピングプロファイル解析機能 CV測定から自動で不純物分布を導出できる機能の有無 ソフトウェア内蔵機能として評価される
サンプル対応電極構成 トップコンタクト/バックコンタクト対応の有無 プローブステーションとの接続互換性にも注意
安全性・保護機能 過電流保護、絶縁トランス、インターロックなどの有無 高電圧用途では必須項目
解析ソフトウェア 測定制御・データ解析ソフトの有無と機能性 GUIの使いやすさや結果の出力形式もポイント