🧑🏫 名古屋大学 原 信二 特任教授について
原 信二（はら しんじ） 特任教授は、名古屋大学の**未来材料・システム研究所（IMaSS）**に所属されている研究者です。
特に、次世代のワイヤレス通信システムを支える高周波デバイスと**集積回路（IC）**の研究開発を専門とされています。
🔬 主な研究分野・テーマ
原特任教授の研究は、主にミリ波帯やテラヘルツ帯といった超高周波領域に焦点を当てています。
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイス
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W帯（75～110 GHz）やD帯（110～170 GHz）などの超高周波領域で動作する、高効率・高出力なGaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）を用いたパワーアンプの開発。
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特に、宇宙衛星通信（低軌道LEO衛星など）への応用を見据えた耐放射線性を持つデバイスの研究。
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Si系RF-IC/MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit)
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CMOSプロセスを用いたミリ波・テラヘルツ帯の低消費電力かつ高性能な送受信集積回路の開発。
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テラヘルツ帯無線通信
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次世代通信（6G/Beyond 5G）に向けた、テラヘルツ波を使った超高速大容量無線通信システムのためのデバイス、回路、アンテナの研究。
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🌐 研究の貢献
原特任教授の研究は、前述の名古屋大学におけるW帯パワーアンプの開発プロジェクトを推進されており、日本の宇宙通信インフラや次世代無線通信技術の基盤構築に不可欠なキーデバイスの創出に貢献しています。
GaN HEMTの高い耐圧と放射線耐性を活かし、宇宙環境でも安定動作する高出力増幅器を実現することが、現在の主要な目標の一つです。
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