秋田大学の田中 元志 教授は、主に電子デバイス工学、特に半導体デバイスと磁気デバイスに関連する研究を専門とされています。
🔬 田中 元志 教授の主な研究分野
田中教授は、次世代の電子機器や情報通信技術を支える基盤技術として、新しい機能性材料やデバイス構造の研究に注力されています。
1. 半導体・磁性体デバイス
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スピントロニクス: 電子の持つ電荷だけでなくスピンの自由度を利用する次世代の電子デバイス技術。特に、磁気トンネル接合 (MTJ) などの基本構造や、その高周波特性に関する研究。
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不揮発性メモリ (MRAM): 磁気抵抗効果を利用した、高速かつ低消費電力のメモリデバイスの研究開発。
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半導体薄膜の結晶成長と評価。
2. 高周波デバイスと電磁気応用
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高周波回路におけるノイズ低減技術や、電磁波制御技術に関連する研究。
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テラヘルツ帯など、超高周波領域での電磁波応答やデバイス特性の評価。
3. 機能性材料の開発
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強磁性体や強誘電体などの機能性薄膜材料を、デバイス応用に向けて合成・評価する研究。
田中教授は現在、秋田大学大学院理工学研究科の教授として、これらの電子デバイス・材料に関する研究教育をリードされています。
参考：
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SIGLENT（シグレント） TG付きスペアナで「シールド効果を測定する」【Interference Technology 日本版】2024年８月号で紹介
SIGLENT社 TG付きスペアナで「シールド効果を測定する」【Interference Technology 日本版】2024年８月号(No.103)紹介されました 記事は、Interference Technology日本版からの引用です。リンク( www.interference-technology.jp ) 近傍界プローブと、トラッキングジェネレータ付スペクト[…]
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「フェライトを充填した電波吸収体を使ったRFの自己干渉低減」SIGLENT TG付きスペアナを使用【Interference Technology 日本版】にて紹介されました
SIGLENT社 TG付きスペアナで「フェライトを充填した電波吸収体を使ったRFの自己干渉低減」【Interference Technology 日本版】2025年2月号(No.105)にて紹介されました 記事は、Interference Technology日本版からの引用です。リンク( www.interference-technology.jp ) SSA3000[…]
参考：
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