FEOL/BEOL CMP

CMP（化学的機械研磨）は、半導体製造の「前工程の前半（FEOL）」と「前工程の後半（BEOL）」の両方で不可欠ですが、その目的と削る対象が大きく異なります。

一言で言えば、**FEOL CMPは「トランジスタ（素子）を作るための土台作り」**であり、**BEOL CMPは「多層配線をつなぐための平坦化」**です。

1. FEOLにおけるCMP (Front End Of Line)

FEOLはシリコンウェハ上にトランジスタそのものを形成する段階です。ここでのCMPは、極めて高い精度と、デバイス特性を左右する「汚れ（汚染）」への厳格な管理が求められます。

主な目的: 素子分離構造（STI）の形成や、ゲートの高さの均一化。
代表的なプロセス:
- STI-CMP (Shallow Trench Isolation): トランジスタ間に掘った溝に絶縁膜を埋め、余分な膜を削って平坦にします。これにより、隣り合うトランジスタが電気的に混ざらないようにします。
- ゲート形成用CMP: メタルゲートなどを形成する際、余分な金属（タングステン等）を削り取り、高さを揃えます。
特徴: * セリア（酸化セリウム）などのスラリーがよく使われます。
- トランジスタの性能に直結するため、ナノレベルの平坦度が求められます。

2. BEOLにおけるCMP (Back End Of Line)

BEOLは、完成したトランジスタ同士を金属の線でつなぐ配線工程です。現代のチップは配線が10層以上に重なるため、各層を「真っ平ら」にしないと、上の層を重ねることができません。

主な目的: 多層配線を実現するための層間絶縁膜（ILD）の平坦化、およびメタル配線の形成。
代表的なプロセス:
- 銅ダマシンCMP (Cu-CMP): 絶縁膜に掘った溝に銅を埋め込み、表面の余分な銅を削ります。
- 層間絶縁膜 (ILD) CMP: 配線層の上に積んだ絶縁膜の凹凸を平坦化します。
特徴:
- シリカ（二酸化ケイ素）スラリーなどが主流です。
- 銅（Cu）を扱うため、酸化剤や腐食防止剤を含む複雑な化学反応を利用します。

3. FEOL CMPとBEOL CMPの比較

項目	FEOL CMP	BEOL CMP
主な対象材料	酸化膜(SiO2)、窒化膜、ポリシリコン	銅(Cu)、層間絶縁膜(低誘電率膜)
役割	素子分離(STI)、ゲート形成	多層配線の平坦化、銅配線形成
難易度	トランジスタ特性への影響が大	多層化に伴う「累積の平坦度」の維持
汚染管理	極めて厳しい（金属汚染厳禁）	比較的緩和されるが、銅の拡散に注意

4. 最新トレンド：MEOLと裏面CMP

最近の微細化プロセスでは、FEOLとBEOLを繋ぐ「MEOL（Middle End Of Line）」でのコンタクト形成CMPや、先ほど話題に出た「裏面電源供給」のためのウェハ裏面を削るCMPも非常に重要になっています。

FEOL/MEOL/BEOLの詳細な解説動画

この動画では、半導体製造におけるFEOL、MEOL、BEOLの各工程が物理的な構造としてどのように積み上がっていくのか、全体像を分かりやすく解説しています。

出典：Google Gemini

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