Intelの製造プロセスにおける**18A(1.8nmクラス)と14A(1.4nmクラス)**は、単なる微細化のステップではなく、半導体の構造そのものを変える「オングストローム(Å)時代」の2大柱です。
特に2025年後半から2027年にかけて、これら2つのプロセスが「EMIB-T」などの先端パッケージング技術と統合され、AI半導体の勢力図を塗り替えようとしています。
1. 製造プロセスの進化と主要技術
18Aと14Aでは、トランジスタ構造と給電方式に革命的な変更が加えられています。
| 技術要素 | Intel 18A (2025年量産) | Intel 14A (2026年リスク生産/2027年量産) |
| トランジスタ | RibbonFET (GAA構造) | RibbonFET (さらに最適化) |
| 給電方式 | PowerVia (裏面給電) | PowerDirect (第2世代裏面給電) |
| 露光装置 | EUV (標準) | High-NA EUV (世界初導入) |
| 主な特徴 | 5N4Y計画の集大成。PPAを最大化。 | 圧倒的な密度向上。High-NAによる微細化。 |
キーテクノロジーの解説
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RibbonFET (GAA): 電流を制御するゲートがチャネルの全周囲を囲む構造。漏れ電流を抑え、高速動作を可能にします。
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PowerVia / PowerDirect: 信号線と電源線をウェハの表裏に分離する技術。配線の混雑を解消し、抵抗(IRドロップ)を劇的に減らすことで、省電力化を実現します。14AのPowerDirectは、トランジスタのソース/ドレインに直接接触し、効率をさらに高めます。
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High-NA EUV: 14Aで初めて採用される次世代露光装置。より高い解像度で回路を描画でき、マルチパターニングの削減(工程短縮・コスト削減)に寄与します。
2. EMIB-Tとのシナジー(統合パッケージング)
18Aと14Aの真の価値は、**「ヘテロジーニアス・インテグレーション(異種混在集積)」**にあります。
18Aと14Aの「混載」戦略
2026年以降、一つのパッケージ内に以下のチップを混載するのが主流になります。
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計算コア (14A): 最も電力効率と性能が求められるCPU/GPUコア。
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I/O・周辺回路 (18A/Intel 3): 14Aほど微細化が必要ない部分はコストを抑えたプロセスを使用。
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EMIB-T: これらを繋ぐ「高速道路」。HBM4などの広帯域メモリとも直結。
この手法により、すべてを14Aで作るよりも**「高性能・低コスト・高歩留まり」**を同時に達成できます。
3. ロードマップ:2026年がターニングポイント
現在の市場環境に基づくと、2026年がIntel Foundryにとって勝負の年となります。
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2025年後半: Intel 18A の量産開始。次世代PC用CPU「Panther Lake」やデータセンター用「Clearwater Forest」が登場。
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2026年: Intel 18A-P / 18A-PT への進化。パッケージング性能を強化し、他社(外部ファウンドリ顧客)のAIチップ製造を本格受託。
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2027年: Intel 14A の本格稼働。TSMCの1.4nm(A14)プロセスとの直接対決が始まります。
出典:Google Gemini
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