**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Technology）が共同開発した、次世代のDRAM技術です。
従来のシリコン（Si）の代わりに、**酸化物半導体（主にIGZO：インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）**をトランジスタのチャネルに使用するのが最大の特徴です。
1. OCTRAMの3つの画期的な特徴
従来のDRAMが抱えていた「消費電力」と「微細化（大容量化）」の限界を突破するために設計されています。
① 「超」低消費電力（リフレッシュ頻度の激減）
DRAMは放っておくと電荷が漏れてデータが消えてしまうため、頻繁に書き直し（リフレッシュ）を行う必要があり、これが電力消費の大きな原因でした。
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極低リーク電流: 酸化物半導体はシリコンに比べて「オフ時の漏れ電流」が圧倒的に少なく（アトアンペア：10-18A レベル）、電荷を長時間保持できます。
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効果: データの保持時間が飛躍的に伸びるため、リフレッシュ回数を大幅に減らし、全体の消費電力を劇的に下げることが可能です。
② 高密度な「4F²」レイアウトの実現
従来のDRAMは「6F²」という面積の設計が限界でしたが、OCTRAMはより小さな「4F²」を実現します。
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縦型トランジスタ構造: トランジスタを縦型の円筒状（GAA: Gate-All-Around）にし、キャパシタの上に直接積み上げる構造を採用しています。
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大容量化: 同じ面積により多くのメモリセルを詰め込めるため、DRAMのさらなる大容量化が可能になります。
③ 高い信頼性とオン電流の両立
酸化物半導体は一般に電流が流れにくいイメージがありましたが、製造プロセスの最適化により、データの読み書きに必要な「オン電流」もしっかり確保されています。また、接合欠陥が起きにくい構造のため、高い信頼性が期待されています。
2. 背景：なぜ今、酸化物半導体なのか？
これまでDRAMの進化を支えてきたシリコントランジスタは、微細化が進むにつれて「オフの時に電気が漏れすぎる」という問題に直面していました。
キオクシアはこの問題を解決するため、液晶パネルなどで実績のあるIGZO技術をDRAMに応用しました。
| 比較項目 | 従来のシリコンDRAM | OCTRAM (酸化物半導体) |
| セルサイズ | 6F² (標準) | 4F² (高密度) |
| オフ電流 | 漏れやすい（頻繁なリフレッシュが必要） | 極めて少ない（リフレッシュを大幅削減） |
| 構造10 | 横型/埋め込み型 | 縦型 (GAA構造) |
3. 実用化に向けた動き
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2024年12月: 世界最大の半導体学会「IEDM 2024」で発表。
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2025年12月: さらに進化した、トランジスタを8層まで積み上げる「3D積層技術」についても発表が進んでおり、将来的には3D NANDのようにDRAMも多層化していく道筋が見え始めています。
展望
OCTRAMは、膨大なデータを扱うAIサーバー、5G通信、IoTデバイスなど、省電力性が厳しく求められる分野でのメインメモリとしての活用が期待されています。
出典：Google Gemini
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