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- 深層学習とFDTDを用いた地中レーダ推定について
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深層学習とFDTD（Finite-Difference Time-Domain、差分時間領域法）を用いた地中レーダ（GPR: Ground-Pe…
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- ナノ秒紫外レーザーによる高密度ナノドット形成技術
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ナノ秒紫外レーザーによる高密度ナノドット形成技術は、レーザー波長（光の回折限界）よりもはるかに小…
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- ハイブリッドボンディング 裏面配線形成 CMP技術課題
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ハイブリッドボンディングと裏面配線形成（BS-PDN）は、半導体の高性能化と高集積化を支える最先端のプ…
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- 光MEMS (Optical MEMS)
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MOEMS (Micro Opto Electro Mechanical Systems)、または光MEMS (Optical MEMS)は、MEMS（微小電気機械…
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- 量子トランスデューサー技術の性能（変換効率やノイズ特性）に…
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量子トランスデューサーの性能は、その実用化、特に量子ネットワークや分散型量子コンピューティングの…
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- メカニカル・リレーOFF時の 過電圧トラブル 対策
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メカニカル・リレーのOFF時過電圧トラブルの主な対策は、リレーコイルの逆起電力（サージ電圧）の吸収で…
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- アダプティブ・コーディング・変調 とは
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アダプティブ・コーディング・変調（ACM: Adaptive Coding and Modulation）は、無線通信の伝搬路（チャ…
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- 300GHz帯積層共振器アンテナ
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「300-GHz Band Laminated Resonator Antenna」は、300 GHz（ギガヘルツ）帯というテラヘルツ波に近い高…
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- 異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス
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「異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス」とは、従来の単一材料系で作製されていた光デバイ…
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- Chip to Chip, Chip to Wafer などの三次元微細結合技術
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「Chip to Chip（チップ・トゥ・チップ、C2C）」や「Chip to Wafer（チップ・トゥ・ウェーハ、C2W）」な…
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- シリコンフォトニクスとInP化合物半導体
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シリコンフォトニクスとInP（インジウムリン）化合物半導体は、**光電融合技術**において、それぞれが持…
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- スキップレイヤー経路の電磁界解析
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スキップレイヤー経路の電磁界解析で得られる特定の解析結果は、主にSパラメータの曲線と、構造内の電磁…
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- Class-Jアンプ とドハティアンプ
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Class-Jアンプとドハティ増幅器（Doherty Amplifier）は、現代の無線通信、特に5Gや次世代の6Gシステム…
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- 総務省、“偽基地局”による被害に注意喚起 “fake base sta…
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総務省は、不法無線局の疑いのある無線機器（いわゆる「偽基地局」）からの携帯電話サービスへの混信事…
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- 準天頂衛星システム「みちびき」
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準天頂衛星システム「みちびき」（QZSS: Quasi-Zenith Satellite System）は、「日本版GPS」とも呼ばれ…
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- IP over DWDM
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IP over DWDM は、インターネットプロトコル (IP) レイヤーと光伝送レイヤー（DWDM: 密着波長分割多重）…