極低温でのHF（フッ化水素）プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。
Si（シリコン）、SiO2（酸化膜）、および低誘電率（Low-k）膜に対する具体的なメリットとメカニズムを整理しました。
1. シリコン酸化膜 (SiO2) ・窒化膜 (SiN)
現在、この技術が最も熱く議論されているのが3D NANDフラッシュメモリ等の深孔加工です。
-
速度の向上: 名古屋大学やキオクシアの研究等により、基板を -70℃ 程度まで冷却しHFプラズマを用いることで、常温比で約4〜5倍のエッチング速度が得られることが報告されています。
-
イオン強化型表面自己触媒反応: 極低温下では、HFが表面に多層吸着します。ここにイオンが衝突することで反応が爆発的に進む「自己触媒的な」メカニズムが働き、圧倒的な高速化を実現します。
-
選択比の制御: HFプラズマは SiO2 や SiN に対して非常に高い反応性を持ちつつ、マスク材（アモルファスカーボン等）との選択比を維持しやすいのが特徴です。
2. シリコン (Si)
シリコンの深掘り（TSV：シリコン貫通電極など）でも極低温エッチングは有効です。
-
SiOxFy 保護膜の形成: 冷却下ではエッチング副生成物が側壁に凝縮し、SiOxFy という薄い保護層を自発的に形成します。
-
ボッシュプロセスとの違い: 従来のボッシュプロセス（ガスを切り替えて彫る手法）のような側壁の凹凸（スキャロップ）が発生せず、滑らかな垂直形状を高速に得られます。
3. 低誘電率膜 (Low-k / porous SiCOH)
次世代ロジック配線層で使われるLow-k膜において、極低温プロセスは「ダメージ抑制」の切り札とされています。
-
ポア（細孔）への浸入防止: 多孔質（porous）なLow-k膜は、常温だとプラズマ中のラジカルが孔の奥まで入り込み、膜の性質を壊して（誘電率を上昇させて）しまいます。
-
凝縮による「蓋」効果: エッチング中にガス成分を孔の中に凝縮させることで一時的に「蓋」をし、膜内部へのダメージを物理的に遮断しながら加工することが可能です。
各材料への効果まとめ
| 対象材料 | 主なメリット | キーワード |
| SiO2/ SiN | 高速エッチング・高アスペクト比 | イオン強化型表面自己触媒反応 |
| シリコン (Si) | 垂直形状・滑らかな側壁 | 自発的側壁保護層 (SiOxFy) |
| 低誘電率膜 (Low-k) | 低ダメージ・誘電率の維持 | 孔内凝縮によるダメージ遮断 |
出典：Google Gemini
PR:
110GHz複素誘電率測定システム – FPOR製品（ネクステム株式会社）と協調してソリューション提供
弊社とネクステム株式会社は、協調して110GHz複素誘電率測定システム（FPOR：FABRY-PEROT OPEN RESONATOR）を提供いたします。 FPORお問い合せ先： ネクステム株式会社 ホームページhttp://www.nextem.co.jp/ Email: info＠nextem.co.jp 電話：06-6977-7027 システムカタログ ダウンロード ネクス[…]
 |
Dielectric constant:Dk = 1 – 15 (accuracy ± 0.2 %) Loss tangent:Df > 5 × 10–6 (accuracy ± 2 %)
１．０mmコネクタケーブルによる直接接続（VNAにエクステンダ不要）
|
PR:
 |
SDS8000Aシリーズ オシロスコープ 特長と利点 ・Coming soon |
 |
SSG6M80Aシリーズ ・Coming soon
|
 |
 |
 |
SSA6000A Series Signal Analyzer Main Features ・Coming soon
|
 |
SNA6000A Series Vector Network Analyzer Key Features
|
お礼、
T&Mコーポレーションは設立5年ですが、おかげさまで業績を着実に伸ばしており、
オフィスを港区芝（最寄り駅浜松町）に移転し、スペースも拡大いたしました。
欧米計測器メーカーが値上げをする中、(110GHz VNAでは1億円超え)
弊社では若干の値下げをさせていただき、Ceyear社110GHz VNAは5000万円以下です。
高額な設備投資を伴う製品開発では、市場投入までの時間（Time to Market）の短縮、「スピード感」が求められます。
電子計測器業界の「ゲームチェンジャー」として、高性能/高信頼/低価格/短納期を武器に
T&Mコーポレーションはお客様のご予算を最大限生かす製品群をご提案させていただいております。
