STT-MRAM（スピン注入メモリ）と「ロジック・イン・メモリ」

パワースピン株式会社が核とする2つの革新的技術、STT-MRAMとロジック・イン・メモリについて、その仕組みとインパクトを深掘りします。

1. STT-MRAM（スピン注入メモリ）

STT-MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM）は、電子が持つ「電荷」だけでなく、回転の性質である**「スピン（磁性）」**を情報の記録に利用する次世代メモリです。

仕組み: 「磁気トンネル接合（MTJ）」という素子を用います。2つの磁性層の磁力線の向きが「平行」か「反平行」かによって電気抵抗が変わることを利用し、0と1を記録します。
特徴: * 不揮発性: 電源を切っても磁力で情報を保持するため、データが消えません。
- 高速・高耐久: フラッシュメモリよりも遥かに高速で、書き換え寿命もほぼ無限です。
- 低電圧駆動: 電流を流して磁化を反転させる「スピン注入」により、極めて少ない電力で書き換えが可能です。

2. ロジック・イン・メモリ（Logic-in-Memory）

これは、従来のコンピューター設計における「情報の通り道（バス）」の渋滞問題を解決する革新的なアーキテクチャです。

従来の構造（フォン・ノイマン型）との違い

従来: 演算を行う「ロジック（CPU/GPU）」と、データを貯める「メモリ」が物理的に離れています。データをやり取りするたびに電力を消費し、速度も低下します（フォン・ノイマン・ボトルネック）。
ロジック・イン・メモリ: ロジック回路のすぐ隣、あるいは回路そのものの中にMRAMを組み込みます。

この技術がもたらす「ノーマリーオフ」の世界

この2つが組み合わさることで、**「ノーマリーオフ・コンピューティング」**が可能になります。

計算の合間のわずか数ナノ秒という極短時間でも、回路の電源を完全に落とすことができます。
データがロジック内のMRAMに保存されているため、電源を入れた瞬間に（ロード時間ゼロで）作業を再開できます。
これにより、AIの推論処理やIoTデバイスの消費電力を従来の1/100以下に抑えることが期待されています。

パワースピンの独自性

パワースピン社は、このMTJ素子を**「300mmウェハ」という量産サイズで、極めて高い歩留まりで製造できるプロセス技術**を持っています。研究室レベルの理論を、実際の産業で使える「動くチップ」へと昇華させている点が、世界から注目される理由です。

出典：Google Gemini

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