トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向

トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向（2026年初頭時点）をまとめます。

現在、業界は「第1世代トレンチ」から、より低損失で信頼性を高めた**「次世代トレンチ構造」への移行と、製造コストを下げるための「200mm（8インチ）ウエハへの転換」**の真っ只中にあります。

1. 主要メーカー別の技術・製品動向

各社、トレンチ特有の「ゲート破壊」を防ぐ独自構造で差別化を図っています。

メーカー	最新の動向・製品	技術的特徴
ローム (ROHM)	第4世代 / 第5世代	世界に先駆けてトレンチ型を量産。独自の「ダブルトレンチ構造」により、オン抵抗を劇的に下げつつ、短絡耐量（壊れにくさ）を両立。第5世代ではさらに30%の低抵抗化を計画。
インフィニオン	CoolSiC™ Gen2	2024〜2025年にかけて第2世代を投入。「非対称トレンチ構造」を採用し、プレーナ型の信頼性とトレンチ型の低損失を高いレベルで融合。熱抵抗も12%以上改善。
三菱電機	新型チップ（2026年1月）	2026年1月21日に新型トレンチチップのサンプル出荷を開始。独自構造により、従来のプレーナ型比で電力損失を約50%低減。EVインバーター向けに注力。
STマイクロ	第3世代 / 第4世代	テスラへの供給で先行。現在は高電圧（1200V以上）対応のトレンチ製品を拡充。イタリアでの自前ウエハ生産体制（垂直統合）を強化中。
Wolfspeed	200mmウエハ移行	デバイス構造そのものよりも、世界最大級の8インチ（200mm）ウエハ工場での大量生産によるコスト競争力重視。

2. 市場全体の大きな潮流

200mm（8インチ）ウエハへの移行

これまで主流だった150mm（6インチ）から、より大きな200mmウエハでの製造が本格化しています。これにより1枚のウエハから取れるチップ数が増え、高価だったSiCチップの低コスト化が進んでいます。
EV（電気自動車）の800Vシステム対応

急速充電を実現する「800Vシステム」を搭載するEVが増えており、これに対応する1200V耐圧のトレンチ型チップの需要が急増しています。
ベアチップ（ダイ）供給の拡大

三菱電機の最新発表にもある通り、パッケージ品だけでなく**「チップそのもの（ベアダイ）」**での供給が増えています。これは、自動車メーカーやモジュールメーカーが自社独自の高密度パッケージングを行うニーズに応えるためです。

3. 今後の注目ポイント

2026年は、中国メーカー（三安光電など）が低価格なSiCチップでシェアを伸ばし始めており、日欧米のトップメーカーは**「さらなる微細化（第5世代〜）」や「モジュール化技術」**での高付加価値化にシフトしています。

出典：Google Gemini

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