パワーデバイス動特性評価装置
パワーデバイス動特性評価装置は、Si、SiC、GaNなどのパワー半導体デバイスのスイッチング特性を評価する装置です。ダブルパルス試験でターンオン・ターンオフ特性やスイッチング損失を、短絡試験で短絡時の電圧・電流応答を、Qgゲート電荷試験でゲート電荷特性を評価します。高電圧電源、試験治具、ゲート駆動回路、オシロスコープやプローブなどの計測器を組み合わせて構成します。
パワーデバイス動特性評価装置は、Si、SiC、GaNなどのパワー半導体デバイスのスイッチング特性を評価する装置です。ダブルパルス試験でターンオン・ターンオフ特性やスイッチング損失を、短絡試験で短絡時の電圧・電流応答を、Qgゲート電荷試験でゲート電荷特性を評価します。高電圧電源、試験治具、ゲート駆動回路、オシロスコープやプローブなどの計測器を組み合わせて構成します。