α-Ga2O3（アルファ型）

β-Ga₂O₃（ベータ型）が安定相であるのに対し、**α-Ga₂O₃（アルファ型）**は「コランダム構造」を持つメタステーブル（準安定）相です。

β型が融液（EFG法など）から成長させるのに対し、α型は主にミストCVD法などの低温成膜技術によって、サファイア基板等の上に薄膜として形成されます。

1. α-Ga₂O₃ の主な特徴

• より広いバンドギャップ: β型が約4.8 eVであるのに対し、α型は約5.3 eVとさらに広く、より高い絶縁破壊電界が期待できます。

• コランダム構造の利点: サファイア（α-Al₂O₃）と同じ結晶構造を持つため、安価な大口径サファイア基板をテンプレートとして高品質なエピタキシャル成長が可能です。

• 異種材料との親和性: 同じコランダム構造を持つIr₂O₃やRh₂O₃と混ぜることで、β型では困難な**p型半導体**を実現できる可能性（α-Ir₂O₃系など）が研究されています。

2. α-Ga₂O₃ のデバイス応用：SBDへの特化

α型は熱的に不安定で、高温（約600 ～ 900℃以上）になるとβ型へ相転移してしまうため、高温プロセスが必要なMOSFETよりも、構造が単純な**SBD（ショットキーバリアダイオード）**での実用化が先行しています。

• 超高耐圧: すでに1 kVを超える耐圧を持つSBDが試作されており、パワーコンバータの小型化に大きく寄与します。

• 低コスト製造: 高価なイリジウム坩堝を必要とするEFG法（β型）に比べ、サファイア基板と大気圧下でのミストCVD法を用いるα型は、製造コストを劇的に抑えられる可能性があります。

3. α型とβ型の比較

4. 課題：熱伝導と欠陥

α型もβ型と同様に**熱伝導率が低い**という課題がありますが、α型の場合は「サファイア基板上に成長させる」ため、放熱のために基板を剥離して別の高放熱基板へ貼り替える（ラミネート技術）などの研究も活発です。

α型の大きなメリットである**「ミストCVD法による低コスト化」**について、その装置構成や具体的な成膜プロセスに興味はありますか？あるいは、p型化への挑戦について詳しくお話しすることも可能です。

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