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「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略

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テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略です。2026年現在、この戦略は**「SiCを使わない」のではなく、「最新技術を駆使して極限まで効率化する」**という方向で具体化しています。

この削減を可能にする3つの主要なアプローチを解説します。

1. チップ単体の高性能化（世代交代）

テスラが初期のModel 3で採用したSiCは「第2世代」のプレーナー型でした。当時は信頼性確保のために余裕（マージン）を多く取り、多数のチップを並列に並べていました。

  • 電流密度の向上: 最新の**第3世代・第4世代（トレンチ構造など）**のSiC MOSFETは、1枚のチップで流せる電流が従来の約2倍に増えています。

  • 面積の削減: 同じパワーを出すのに必要なチップ面積が大幅に減るため、単純に「個数」や「面積」を減らしても同等の性能が維持できるようになりました。

2. 独自の次世代パッケージング（放熱の革新）

テスラは「独自のカスタムモジュール」により、既存品よりも2倍効率的に熱を逃がすパッケージング技術を開発しました。

  • 熱による制限の解消: 半導体は熱に弱いため、これまでは「壊れないように出力を抑える」か「チップを増やして熱を分散させる」必要がありました。

  • 冷却効率の倍増: 熱を強力に逃がせるようになったことで、1つ1つのチップを極限（フルパワー）まで使い切ることが可能になり、搭載するチップの数を劇的に減らすことに成功しました。

3. 「ハイブリッド・インバータ」の可能性

安価な次世代モデル（通称：モデル2）向けには、SiCと従来のSi（シリコン）IGBTを組み合わせるハイブリッド方式の採用が有力視されています。

  • 賢い使い分け:

    • 負荷が小さい通常走行時：効率の高いSiCが担当。

    • 急加速などの大電流が必要な時：安価なSi IGBTがサポート。

  • コストと性能の最適化: 全てをSiCにするのではなく、最も効率に効く部分だけにSiCを集中させることで、性能を落とさずに使用量を75%カットするという計算です。

結論：SiC市場への影響

この発表直後、SiCメーカーの株価は一時急落しましたが、2026年現在の見方は異なります。

  • 「1台あたりの量は減るが、搭載する車が爆発的に増える」

  • テスラのこの戦略は、高級車だけでなく**安価な大衆車にもSiCを普及させるための「低コスト化技術」**として、業界全体のスタンダードになりつつあります。

 

 

 

 

出典：Google Gemini

 

 

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