トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の動向

2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています。特に三菱電機の最新ニュースとロームの次世代技術は、現在のパワー半導体市場の最前線を示す象徴的な動きです。

1. 三菱電機：最新トレンチ型チップ（2026年1月発表）

三菱電機は、まさに今月（2026年1月21日）、新型の**トレンチ型SiC-MOSFETチップ（4品種）**のサンプル出荷を開始しました。

性能の飛躍: 従来のプレーナ型と比較して、電力損失を約50%低減。これはオン抵抗の削減だけでなく、スイッチング時のロスを極限まで抑えた結果です。
独自の製造プロセス: ゲート酸化膜の形成に独自技術を導入し、トレンチ型の弱点だった「特性のばらつき」を抑制。長期使用における高い品質安定性を確保しています。
ベアダイ供給: パッケージ品ではなく「チップ（ベアダイ）」の状態で提供することで、EVメーカーなどが独自の冷却構造や高密度モジュールを構築しやすいようにしています。

2. ローム (ROHM)：第5世代 SiC-MOSFET

ロームはSiCのパイオニアとして、2025年後半から2026年にかけて**「第5世代」**の本格導入を進めています。

世界最小レベルのオン抵抗: 第4世代でも十分低かった抵抗値をさらに約30%削減。これにより、チップサイズをさらに縮小しながら大電流を流すことが可能になりました。
第5世代の構造的特徴: ローム独自の「ダブルトレンチ構造」をさらに進化させ、寄生容量を低減。これにより、AIサーバー用電源などの超高速スイッチングが必要な用途でも、発熱を抑えた動作が可能です。
8インチ（200mm）ウエハ対応: この第5世代チップは、新設された宮崎工場などの8インチラインで生産されることが想定されており、**「高性能かつ低コスト」**を両立する戦略をとっています。

特徴	三菱電機（最新トレンチ）	ローム（第5世代）
主なターゲット	EV（トラクションインバータ）、再エネ電源	EV、AIサーバー、産業用ロボット
強み	信頼性と低損失のバランス。プレーナ型からの置き換えを意識。	圧倒的な低オン抵抗と高速性。世界最小サイズへの挑戦。
提供形態	ベアダイ供給に注力し、カスタマイズ性を重視	自社モジュールへの搭載および外販の広範な展開

今後の展望：デバイスから「システム」へ

現在の動向として興味深いのは、単に「チップ単体」の性能を競うだけでなく、**「チップをどう冷やすか」「いかに効率的なインバーターを作るか」**というシステム全体への統合が進んでいる点です。三菱電機のベアダイ供給強化は、まさにその流れを汲んでいます。

出典：Google Gemini

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