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積層プロセスやMicronの進捗 HBM4

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最新の2026年の状況を踏まえ、HBM4の積層プロセスの技術的課題と、米国**Micron（マイクロン）**の驚異的な追い上げについて解説します。

1. 積層プロセスの極限：16層（16-Hi）の壁

HBM4では、これまで以上に「薄く、高く、熱くならない」積み方が求められています。

  • 薄化の限界: JEDECの規格ではHBM4の全高（スタックの高さ）が775μmに設定されました。HBM3eの725μmからわずか50μmしか増えていないため、16層を積むには、DRAM1枚あたりの厚さを従来の50μmから約30μmまで削り込む必要があります。

  • 熱問題と接合: 層が増えるほど内部に熱がこもります。

    • TC-NCF (Samsung/Micron): チップ間にフィルムを挟み、熱と圧力を加える方式。微細な隙間を埋める能力に優れ、16層のような多層化で「反り」を防ぐのに有利とされます。

    • MR-MUF (SK hynix): 液体を流し込む方式。放熱性に優れますが、極薄チップへの適用には高度な制御が必要です。

2. Micron（マイクロン）の進捗：2026年の「第3の巨人」

かつてHBM市場で後塵を拝していたMicronですが、2026年現在はSK hynix、Samsungと肩を並べる「三強」の一角として、非常に強い存在感を示しています。

  • HBM4の量産スケジュール:

    2026年第1四半期末（3月頃）から第2四半期にかけての量産開始を予定しています。2025年中に主要顧客（NVIDIA等）へのサンプル出荷を完了し、現在は製品の最終調整段階にあります。

  • 驚異の電力効率:

    MicronのHBM4は、前世代比で20%以上の電力効率改善を謳っています。データセンターの消費電力抑制が急務となる中、この「ワットあたりの性能」が評価され、NVIDIAの次世代プラットフォーム（Rubin等）への採用を確実にしています。

  • 技術的強み（1β DRAM）:

    自社の最新プロセスである1β（1ベータ）nm DRAM技術をベースにしています。これにより、11Gbps以上のピン速度を達成しており、業界最高水準のデータ処理能力を確保しました。

  • 2026年の予約状況:

    2026年分のHBM供給枠は**すでに完売（フルブッキング）**したと報告されており、AI特需の恩恵を最大限に受けています。また、次々世代の「HBM4E」についても、TSMCとの協業により2027年の投入に向けて開発を加速させています。

3. 三社比較まとめ（2026年時点）

項目 SK hynix Samsung Micron
HBM4戦略 シェアNo.1維持。TSMC連合でベースダイを強化。 1c nmプロセスの早期投入と自社ファウンドリ活用。 圧倒的な電力効率と安定した1βプロセスの活用。
ベースダイ TSMCに委託 自社（Samsung Foundry） TSMCと協力
主要ターゲット NVIDIA, AMD NVIDIA, 自社SoC, Hyperscaler NVIDIA (Rubin), クラウド大手

今後の注目点

Micronはシンガポールや広島（日本）での工場拡張を進めており、2026年後半からは供給能力がさらに拡大する見込みです。

 

 

出典：Google Gemini

 

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