縦型のゲートオールアラウンド（GAA）構造 | T&Mコーポレーション株式会社

縦型のゲートオールアラウンド（GAA）構造とは、半導体トランジスタのチャネル（電流の通り道）を、ゲート電極が全周（四方）から完全に包み込むように設計された立体構造のことです。

FinFET構造の後継として、3 nmノード以降の微細化において主流になると見込まれている、次世代のトランジスタアーキテクチャです。

1. 構造と原理 💡

縦型GAA構造の最も一般的な形態は、チャネル材料を**ナノシート（Nanosheet）またはナノワイヤ（Nanowire）**の形で積層し、その周囲をゲートが包み込む構造です。

構造要素	特徴と役割
チャネル	水平方向に配置された薄いナノシート（または円柱状のナノワイヤ）を垂直に積層した構造。
ゲート電極	絶縁膜を介して、積層されたナノシートの全周（上面、下面、両側面）を完全に囲みます。
ソース/ドレイン	チャネル（ナノシートの積層体）の両端に配置され、電流の出入り口となります。

GAA構造の核心は、ゲートによるチャネルの静電制御の強化です。

完全な包囲: ゲートがチャネルの全周を覆うことで、電流が流れる領域に対して均一かつ強力な電界を印加できます。
リーク電流の抑制: ゲートがチャネルの四方から電流を制御するため、トランジスタがオフ状態のときに電流が漏れ出す現象（短チャネル効果やサブスレッショルドリーク）を極限まで抑制できます。

縦型GAAは、現在の主流であるFinFET（ゲートがチャネルの3面を囲む構造）の限界を克服し、ムーアの法則をさらに推進します。

メリット	FinFETに対する進化点
高性能・低電力	リーク電流をさらに抑制し、オン/オフ比が大幅に改善。同じ性能でも消費電力を低く抑えられます。
高集積化	ナノシートを垂直方向に複数枚積層できるため、トランジスタのフットプリント（占有面積）を大きく変えずに、実効チャネル幅を増やすことが可能です。これにより、チップの密度と駆動電流を向上させます。
設計の柔軟性	積層するナノシートの幅や枚数を調整することで、チップ設計者がトランジスタの駆動電流を柔軟にカスタマイズできます。
スケーリング	FinFETでは難しくなった3 nmノード以下の微細化において、ゲート制御性を保ちながらトランジスタのスケーリングを可能にします。

前述のOCTRAM技術は、この縦型GAA構造の考え方を応用したものです。

$\text{InGaZnO}$ （酸化物半導体）をチャネル材料に用い、縦型GAA構造（または縦型円筒形構造）のトランジスタを採用することで、極低オフ電流と高集積化（4F²レイアウト）**を両立する次世代DRAMの実現を目指しています。

Semi 101: Gate-All-Around, Transistor Architecture Designed for the Future of Logic Devices

この動画では、FinFETからGAA構造への進化と、そのロジックデバイスにおける役割が解説されています。