酸化ガリウム(Ga2O3)は、現在普及が進んでいるSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を超える次世代の「ウルトラワイドバンドギャップ(UWBG)半導体」として非常に期待されています。
特に**α型Ga2O3**は、京都大学発のベンチャー企業であるFLOSFIA(フロスフィア)を中心に日本が世界をリードしている分野です。その特徴と現状を整理します。
1. α-Ga2O3 の主な特徴とメリット
酸化ガリウムには5つの結晶構造(alpha, beta, gamma, delta, epsilon)がありますが、alpha型は以下の点で優れています。
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圧倒的な高耐圧・低損失
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バンドギャップが約 5.3 eV と、SiC(約 3.3 eV)や beta型酸化ガリウム(約 4.5 eV)よりも大きく、絶縁破壊電界強度が極めて高いです。
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これにより、同じ耐圧のデバイスをより薄く・高濃度で作れるため、電力損失(オン抵抗)を劇的に低減できます。
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低コストな製造プロセス(ミストCVD法)
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alpha型はサファイア基板上に結晶成長させることができます。サファイアはLED向けに安価で大口径な基板が流通しているため、SiC よりも低コストなデバイス製造が期待されています。
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異種材料との親和性
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alpha型はコランダム構造(サファイアと同じ構造)を持つため、他の酸化物材料(酸化イリジウムなど)と組み合わせて、従来困難だったp型半導体層を形成しやすいという利点があります。
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2. パワーデバイスとしての性能比較
理論的な性能指標である「バリガ指数(BFOM)」で比較すると、そのポテンシャルの高さがわかります。
| 特性 | シリコン (Si) | SiC | GaN | α-Ga2O3 |
| バンドギャップ (eV) | 1.1 | 3.3 | 3.4 | 5.3 |
| 絶縁破壊電界 (MV/cm) | 0.3 | 2.5 | 3.3 | 約 10 |
| バリガ指数 (Si=1) | 1 | 440 | 1130 | 約 6000 |
3. 実用化に向けた課題と最新動向(2026年時点)
長年の課題であった「p型層の欠如」と「熱伝導率の低さ」に対して、大きな進展が見られています。
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p型半導体の実現: 2025年、FLOSFIAが酸化イリジウム系材料を用いることで、酸化ガリウムでは不可能と言われていた「p型層」の形成に成功しました。これにより、ショットキーバリアダイオード(SBD)だけでなく、MOSFETなどの高効率なトランジスタ構造が可能になっています。
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本格量産の開始: FLOSFIAは2025年末に4インチウェハの製造技術を確立し、2026年度以降の本格量産開始を計画しています。当初は家電や産業用電源のSBDから導入が進む見込みです。
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放熱対策: 酸化ガリウム自体は熱を通しにくい性質がありますが、極薄のチップを放熱性の高い金属フレームに直接接合するなどのパッケージング技術により、この欠点を補っています。
4. 主な応用分野
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EV(電気自動車): オンボードチャージャーやインバータの小型・高効率化。
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データセンター: サーバー用電源の省電力化。
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再生可能エネルギー: 太陽光発電などのパワーコンディショナの損失低減。
出典:Google Gemini
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