CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け

IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の最重要技術として位置づけられています。

現在の2nm世代（Intel 18A、TSMC N2）まではナノシート構造が主流ですが、その先の1nm世代やさらにその先で、物理的な面積効率を稼ぐためにCFETへの移行が計画されています。

1. TSMCのロードマップとCFET

TSMCは、慎重かつ段階的に新構造を導入する戦略をとっています。

2025年〜（N2/A16世代）: 最初のGAA（ナノシート）構造を導入。裏面電源供給（Backside Power Delivery）技術「Super Power Rail」をA16（1.6nm相当）から本格採用します。
2028年〜（A14世代）: 改良型ナノシートを継続。
2030年以降（A10世代〜）: CFETの導入が有力視されています。TSMCは2025年12月の学会（IEDM）にて、CFET構造を用いた集積回路の動作実証に成功したことを報告しており、実用化に向けた準備を着実に進めています。

2. IntelのロードマップとCFET

Intelは「4年で5つのノード」という野心的な計画を掲げ、他社に先駆けて新構造を導入することで逆転を狙っています。

2024年後半〜（Intel 20A/18A）: 業界に先駆けてGAA構造「RibbonFET」と裏面電源供給「PowerVia」を同時投入。
2027年〜（Intel 14A）: 高NA（High-NA）EUV露光装置を本格活用。この世代ではまだナノシートの改良版がメインです。
2030年頃〜: CFETの本格採用。IntelもIEDMなどの学会でCFETのプロトタイプを公開しており、NMOSとPMOSをスタックすることでゲートピッチを劇的に短縮する研究成果を発表しています。

3. ロードマップ比較まとめ

会社	2024-2025年	2026-2028年	2030年以降
TSMC	N2 (GAA導入)	A16/A14 (裏面電源/改良型GAA)	A10 / CFET導入
Intel	18A (GAA/裏面電源)	14A (High-NA EUV)	CFET導入
Samsung	3nm/2nm (GAA量産)	1.4nm (改良型GAA)	CFET導入

4. なぜ「2030年」なのか？

CFETの導入には、以下の**「三種の神器」**が揃う必要があるためです。

高NA EUV露光: 1nm以下の極めて細いパターンを転写する装置。
裏面電源供給 (Backside Power): 重なったトランジスタに効率よく電気を送るための配線技術。
高度なエッチング/成膜: 縦に長い「塔」のような構造を精密に削り出し、材料を塗り分ける技術。

これらの技術が成熟し、コストが見合うようになるのが2030年前後と予測されています。

出典：Google Gemini

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