短チャネル効果（SCE）の主要な現れであるDIBL（Drain-Induced Barrier Lowering）とサブスレッショルドリークを抑制するための主要な技術は、ゲートによるチャネルの静電制御を最大化することです。
主な対策は、トランジスタ構造を**プレーナー（平面）からマルチゲート構造（立体）**へ進化させることと、チャネル特性を最適化することです。
1. トランジスタ構造による抑制 🏗️
A. マルチゲート構造の採用
最も効果的な抑制策は、チャネルをゲート電極で多方面から取り囲むことです。これにより、チャネルの電位に対するドレイン電極の影響（DIBLの原因）を排除し、ゲート電極の影響を絶対的に優位にします。
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FinFET (Fin Field-Effect Transistor):
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チャネルを垂直のフィン状に立て、ゲート電極が3面（両側面と上面）を囲みます。
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これにより、ゲート制御性が大幅に向上し、DIBLや短チャネル効果が抑制されました。
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GAA (Gate-All-Around) FET:
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チャネルをナノシートやナノワイヤの形でゲート電極が全周（4面）から完全に囲みます。
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これはFinFETよりもさらに高い静電制御性を実現し、極限の微細化（3 nmノード以下）におけるDIBLとリーク電流を最小化します。
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B. SOI技術の利用
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FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator):
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チャネル層を極めて薄いSi膜とし、その下部を絶縁膜（BOX）で完全に空乏化させます。
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これにより、チャネルの電位が完全にゲートに制御され、ドレインの影響が遮断されるため、DIBLが効果的に抑制されます。
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2. デバイスパラメータの最適化
A. ゲート絶縁膜の改善
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高誘電率（High-κ）絶縁膜の採用:
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SiO2の代わりに、HfO2などの高誘電率（High-κ）材料をゲート絶縁膜に用いることで、物理的な膜厚を厚くすることなく実効的なゲート容量（Cox）を大きく保てます。
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Coxの増大は、ゲート電界の影響を強化し、チャネルの制御性を高めるため、DIBLを抑制します。
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B. サブスレッショルドスイング（SS）の改善
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サブスレッショルドリークは、SSの値を理想値（室温で60 mV/decade）に近づけることで抑制されます。SSはゲートとチャネルの静電結合の強さを示す指標であり、上記のマルチゲート構造や高-κ技術はSSを改善する効果があります。
要するに、DIBLやサブスレッショルドリークを抑制する鍵は、いかにしてドレイン電極の影響を遮断し、ゲート電極の影響をチャネル全体に浸透させるか、という点に集約されます。
