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半導体CV特性アナライザの主要指標

GLOSSARY

半導体CV特性アナライザの主要指標

指標項目

説明・詳細

備考

測定周波数範囲

測定に使用するAC信号の周波数範囲。例:1 kHz〜2 MHz以上

高周波(HF)・低周波(LF)CV測定に対応しているか要確認

DCバイアス範囲

デバイスに印加可能なDC電圧の範囲。例:±100 V、最大±2000 Vなど

パワーデバイス用途では高電圧対応が重要

AC信号振幅(VAC)

CV測定に使用されるAC信号の振幅。例:10 mV〜1 V

小信号測定か大信号印加か、材料・デバイスにより異なる

容量測定レンジ

測定可能な静電容量の範囲。例:1 fF〜1 μF

MOSキャパシタや微小構造体では高分解能が求められる

容量測定分解能

最小ステップで測定可能な容量の単位。例:0.1 fF、1 fFなど

微細プロセスや先端材料の評価では重要

測定速度(サンプリングレート)

電圧ステップごとの測定時間。例:1 ms/point以下

高速スイープによる信頼性試験・大量測定に有効

準静的測定対応

Quasi-Static CV測定の対応有無

トラップ準位評価や絶縁特性解析で必要

漏れ電流モニタ機能

CV測定中のDCリーク電流を同時モニタ可能かどうか

高電圧印加時の安全性・信頼性評価に有効

ドーピングプロファイル解析機能

CV測定から自動で不純物分布を導出できる機能の有無

ソフトウェア内蔵機能として評価される

サンプル対応電極構成

トップコンタクト/バックコンタクト対応の有無

プローブステーションとの接続互換性にも注意

安全性・保護機能

過電流保護、絶縁トランス、インターロックなどの有無

高電圧用途では必須項目

解析ソフトウェア

測定制御・データ解析ソフトの有無と機能性

GUIの使いやすさや結果の出力形式もポイント

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