複数のナノシートチャネルを重ねたナノシートFET（Nanosheet FET）は、GAAFET（Gate-All-Around FET、全周ゲート型FET）の一種であり、積層ナノシートFET（Stacked Nanosheet FET）またはマルチブリッジチャネルFETとも呼ばれます。
これは、トランジスタの性能と集積度を向上させるために、最先端の半導体プロセスで採用されている革新的な構造です。
ナノシートFETの主要な特徴
1. 構造と動作原理
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チャネル構造: 従来のFinFETのフィン構造を横倒しにして、非常に薄いナノシート（薄いシート状の半導体チャネル）を形成し、それを縦方向に複数層積層（スタック）させた構造です。
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全周ゲート（GAA）: この積層された各ナノシートチャネルを、1つのゲート電極が四方すべて（全周）から取り囲んでいます。これにより、ゲートによるチャネルの制御が理想的に行えます。
2. 利点
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優れた静電制御: 全周ゲート構造により、チャネルへのゲート電圧の影響が最大限になり、電流のオン/オフの切り替えが非常にシャープになります。これにより、トランジスタがオフの時に電流が漏れ出すリーク電流を極めて低く抑えられます。
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高い駆動能力（オン電流）: 複数のナノシートが並列に接続されているため、実効的なチャネル幅（Weff）を大きく確保でき、トランジスタがオンの時の駆動電流（デバイスの動作速度に寄与）を増やせます。
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高集積化: 積層構造により、デバイスの設置面積（フットプリント）を大きくすることなくチャネル幅を増やせるため、回路の集積度向上に貢献します。
3. トランジスタ技術の進化における位置づけ
ナノシートFETは、微細化の限界に直面したプレーナ型FET（Planar FET）から、FinFET（フィンFET）を経て、さらに進化させた次世代のトランジスタ構造として、主に3nmプロセス以降の最先端ロジック半導体で採用が進んでいます。
FinFETとの関係
ナノシートFETは、FinFETの自然な進化と見なすこともできます。
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FinFET: 縦に立てたフィン状のチャネルをゲートが三方から囲みます（トライゲート）。
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積層ナノシートFET: FinFETの複数のフィンを横倒しにして積層することで、チャネルをゲートが四方から囲む全周ゲート構造に進化させています。
この積層ナノシートFET技術は、特に回路のCMOS化（P型FETとN型FETの組み合わせ）における微細化をさらに進めるための「フォークシート構造」などの新しい設計にも繋がっています。
