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- 半導体デバイスの微細化と構造の複雑化
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半導体デバイスの微細化は、集積回路の性能向上と電力効率改善の原動力ですが、同時に構造の複雑化とい…
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- CMOS／スピントロニクス融合AI半導体
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CMOS／スピントロニクス融合AI半導体は、従来のCMOS技術（論理演算を担う）とスピントロニクス技術（主…
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- AMD Versal RFシリーズ
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AMD Versal RFシリーズは、AMD（旧ザイリンクス）の「Versal Adaptive SoC (System-on-Chip)」ファミリ…
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- ネットワークデジタルツイン
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「ネットワークデジタルツイン」とは、現実のネットワークインフラストラクチャ（物理的および論理的構…
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- ソースメジャーユニット（SMU）基本スペック一覧
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ソースメジャーユニット（SMU）基本スペック一覧 項目 内容・説明 出力モード 電圧ソー…
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- 実践 CAEツールにおけるミックスモードSパラメータの利用につい…
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ミックスドモードSパラメータは、USB、HDMI、PCI Express、1000BASE-T1、10GBASE-T1などの高速差動信号…
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- Wavelet OFDM方式に基づく技術「Nessum」（旧HD-PLC）とは
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パナソニックホールディングスが開発した「Nessum」（ネッサム）は、Wavelet-OFDM方式をベースとした、…
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- G-QuAT（Global Research and Development Center for Business…
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産総研（国立研究開発法人 産業技術総合研究所）に設立されたG-QuAT（Global Research and Development …
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- 受動／差動プローブではなく、パワーレール・プローブを使用す…
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パワーレール・プローブを使用する主な理由は、DCパワーレールのごくわずかなリップルやノイズを高精度…
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- 縦型のゲートオールアラウンド（GAA）構造
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縦型のゲートオールアラウンド（GAA）構造とは、半導体トランジスタのチャネル（電流の通り道）を、ゲー…
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シリコンフォトニクス (SiPho) と OMEMS (Optical MEMS) は、光集積回路の性能と機能を飛躍的に向上させ…
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「Reconfigurable Intelligent Surface (RIS)」は、次世代無線通信（Beyond 5G / 6G）において、電波の…
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- RFアナログ信号発生器におけるパルス変調のキーポイント
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RFアナログ信号発生器におけるパルス変調は、高周波（RF）搬送波をパルス状に変調することで、特定の時間…
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- RFエネルギーハーベスティング
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RFエネルギーハーベスティング（RF-EH: Radio Frequency Energy Harvesting）とは、空気中に存在する微…
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- SMART-L MM radar とは
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SMART-L MM radarは、オランダのタレス・ネーデルラント社（旧シグナール社）が開発した、艦艇搭載用の…
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- 100Gbaud VCSEL
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100 Gbaud VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：垂直共振器面発光レーザー）とは、データ通…
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- Digital Lithography Technology (DLT)とは
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Digital Lithography Technology (DLT)（デジタル・リソグラフィ技術）とは、主に半導体パッケージ基板…
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LiDARにおける高出力・短パルス駆動の重要性 🚀 LiDAR（Light Detection and Ranging…