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相互接続性（インターオペラビリティ / Interoperability）とは 複数の異なるシステム、機器、…
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- シリコンフォトニクス上への高EO材料光変調器集積
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「シリコンフォトニクス上への高EO材料光変調器集積」とは、シリコンフォトニクスの高い集積性と、電気…
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**ハイブリッドボンディング（Hybrid Bonding）**は、半導体チップやウェーハを垂直に積層・接合する技…
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3次元構造を用いた先端光チップは、電子回路の限界を超えるための光電融合技術の究極形であり、複数のチ…
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AMD Versal RFシリーズは、AMD（旧ザイリンクス）の「Versal Adaptive SoC (System-on-Chip)」ファミリ…
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- 周波数変動に対してよりロバストな高効率動作
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周波数変動に対してよりロバスト（堅牢）な高効率動作を実現する技術は、主に広帯域高効率パワーアンプ…
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- 植込型BCI（Brain-Computer Interface)
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植込型BCI（Brain-Computer Interface: 脳とコンピューターのインターフェース）医療機器とは、脳の活動…
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- Software-Defined Robotics (SDR)
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「Software-Defined ロボットSI新時代」とは、従来の**ハードウェア（ロボット本体）中心の開発やシステ…
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- Routed Optical Networkingとは
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Routed Optical Networking (RON) は、ルーター（IPレイヤー）と光伝送システム（DWDMレイヤー）を密接…
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- IRDSロードマップ
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IRDS (International Roadmap for Devices and Systems) ロードマップは、半導体業界の将来の技術動向と…
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- スピントロニクス半導体とは
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スピントロニクス半導体とは、従来の半導体が電子の電荷（electric charge）を利用するのに対し、電子が…
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ユニバーサル チップレット インターコネクト エクスプレス (UCIe™) （UCIe: Universal Chiplet Interc…
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- IOWN-GF Board Director
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IOWN Global Forum (IOWN-GF) の理事会のメンバーは、NTT、Intel、Sonyを設立メンバーとする、世界中の…
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- 5G-Advancedの特徴
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5G-Advancedは、現在の5G（第5世代移動通信システム）をさらに発展させた規格であり、6Gへの橋渡し役と…
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- 差動Sパラメータ, ミックスドモードSパラメータ s4pファイルに…
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差動Sパラメータを含むs4pファイルは、差動信号を扱う高速デジタル回路や高周波回路の特性を記述するた…
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- GPRデータ解析における FWI とは
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GPRデータ解析におけるFWIは、Full-Waveform Inversion（フルウェーブフォームインバージョン、全波形逆…
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- Beyond 5G(6G) global trend
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Beyond 5G (B5G)、すなわち6Gは、2030年代の社会実装を目指し、世界各国で研究開発と標準化に向けた競争…
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- 高アスペクト比エッチングにおけるチャージング（帯電）
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高アスペクト比エッチングにおけるチャージング（帯電）は、微細構造の底面や側壁に電子とイオンが不均…