富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」SiC

富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（オートモーティブワールド2026等）で明らかになった情報を整理します。

今回の提携の核心は、個別の電気的数値（電圧・電流）の固定よりも、「物理的な器（パッケージ）」の共通化と、それによる**「設計の自由度」**にあります。

🛠️ パッケージと機械的スペック

両社が合意した「互換性」の具体的な内容は以下の通りです。

項目	詳細内容
ベースプラットフォーム	ボッシュの最新世代である「PM6（およびPM6.2）」プラットフォームを基準とした設計。
外形寸法・端子配置	モジュールの外形サイズ、ネジ穴の位置、制御信号・パワー端子の配置を共通化。
冷却構造	銅ベース板を用いた効率的な冷却構造を共通化。これにより、顧客（車メーカー）はヒートシンク（冷却器）を共通設計にできます。
接合技術	はんだ付けや溶接（ウェルディング）に関するインターフェース情報を共通化し、製造ラインの共通利用をサポート。

⚡ 電気的・構成スペックの柔軟性

「形状は同じでも、中身は変えられる」のがこの提携の特徴です。

チップ搭載数： 1モジュールあたり、4枚から最大12枚のSiCチップを構成可能。
電圧クラス： 主に800Vシステムをターゲットにした1200V耐圧クラスが中心。
出力のカスタマイズ： チップのサイズや枚数を調整することで、小型EVから大型SUV・商用車まで、要求される電流容量（数百Aクラス）に幅広く対応します。
センシング： 複数の温度センサーオプションを選択可能。

🧪 共同開発される「アプリケーション・サポート」

単に製品を売るだけでなく、車メーカーの設計を容易にするための「技術ドキュメント」も共同で提供されます。

冷却器設計ガイド： SiCの熱をどう逃がすか、共通の推奨設計を提供。
接合プロセス： 振動に強い端子の接合（レーザー溶接等）に関する技術データ。
シミュレーションモデル： 回路設計時に必要な熱・電気シミュレーション用のデータ提供。

🔍 なぜ「スペックの数値そのもの」より「互換性」が重要なのか？

現在、SiCモジュールは各社バラバラの独自規格（独Bosch、独Infineon、仏STMicro、日系各社など）で開発されています。

今回の提携により、車メーカーは**「ボッシュ製でも富士電機製でも、そのままポン付けで交換できる（マルチソース化）」**という、これまでにない調達の柔軟性を手に入れることになります。

出典：Google Gemini

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	SNA6000A Series Vector Network Analyzer Key Features ・Frequency Range: 100 kHz ~ 50 GHz ・Dynamic Range: 135 dB ・IF Bandwidth Range: 1 Hz ~ 10 MHz ・Output Power Setting Range: -60 dBm ~ +20 dBm ・Supports 4-port (2-source) S-parameter measurements, differential (balanced) measurements, time-domain analysis, scalar mixer measurements, etc. ・Optional accessories include electronic calibration kits, switch matrix, and mechanical switches. ・Coming soon

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