「rad-hard GaN HEMT」は、耐放射線性の窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタのことです。
各用語の説明
GaN（窒化ガリウム）:
Si（シリコン）やSiC（炭化ケイ素）と同様に半導体材料の一つです。
従来のSiよりも高耐圧、高速スイッチング、低損失といった優れた特性を持つ次世代パワー半導体の材料として注目されています。
HEMT (High Electron Mobility Transistor):
日本語では高電子移動度トランジスタと呼ばれます。
GaNなどの異なる半導体材料の接合面で電子が高速に移動する層を利用したトランジスタ構造です。GaNの高いポテンシャルを引き出すために用いられます。
rad-hard (Radiation Hardened):
耐放射線性を意味します。
宇宙空間や原子力設備など、高エネルギーの放射線が降り注ぐ過酷な環境下でも、特性の劣化や誤動作を起こさずに安定して動作するように設計・製造されています。
用途と特徴
用途: 主に宇宙や航空宇宙分野のアプリケーション（人工衛星、探査機など）で、電源システムや電力変換器に使用されます。
特徴:
高い信頼性が求められる環境で、GaNの持つ高電力密度、高効率、小型・軽量というメリットを活かせます。
一般的なGaN HEMTを放射線環境で使用すると素子が劣化しますが、「rad-hard」なものは特殊な設計によりその影響を最小限に抑えています。
つまり、「rad-hard GaN HEMT」は、宇宙などの放射線環境でも安定して高性能を発揮できる、GaNを用いた高速・高効率のパワースイッチング素子と言えます。
 | SSG6M80Aシリーズ
マルチチャネル・コヒーレント・マイクロ波信号発生器
主な特長
・最大周波数 13.6 GHz/20 GHz
・出力周波数分解能 最大0.001 Hz
・位相ノイズ < -136 dBc/Hz @ 1 GHz、オフセット 10 kHz（測定値）
・コヒーレントモード、搬送周波数 = 10 GHz、周囲温度変動 ±2℃、観測時間 5時間、位相変動 < 1.5°
・チャンネル間の周波数、振幅、位相を個別に調整可能。単一デバイスチャンネル同期および複数デバイスチャンネル位相同期をサポート。位相メモリ機能搭載
・アナログ変調、パルス変調（オプション） |
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 | SSA6000A Series Signal Analyzer Main Features
・Measurement Frequency Range: 2 Hz ~ 50 GHz
・IQ Analysis Bandwidth: 1.2 GHz
・Real-time Spectrum Analysis Bandwidth: 400 MHz
・Phase Noise: -123 dBc/Hz @ 1 GHz, 10 kHz offset
・DANL: Less than -165 dBm/Hz
・Demodulation and analysis of signals from multiple mobile communication standards including 5G NR, LTE/LTE-A, WLAN, and IoT, as well as wireless connections. |
 | SNA6000A Series Vector Network Analyzer Key Features
・Frequency Range: 100 kHz ~ 50 GHz
・Dynamic Range: 135 dB
・IF Bandwidth Range: 1 Hz ~ 10 MHz
・Output Power Setting Range: -60 dBm ~ +20 dBm
・Supports 4-port (2-source) S-parameter measurements, differential (balanced) measurements, time-domain analysis, scalar mixer measurements, etc.
・Optional accessories include electronic calibration kits, switch matrix, and mechanical switches. |
