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- SiCの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンの発生リ…
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SiC-MOSFETの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンのリスクは、ゲート駆動回路の工夫と、Crs…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 （サムスン）
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サムスンは、Co-Packaged Optics (CPO) に関する特許を複数保有しています。これらの特許は、主に光と電…
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- 半導体ドーピングプロファイル（Doping Profile）測定方法
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半導体のドーピングプロファイル（ドーパント濃度分布）を測定する方法には、用途や求められる精度に応…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 (Intel)
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IntelはCo-Packaged Optics (CPO)に関する特許を多数保有しています。 これらの特許は、同社のシリコン…
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- 固体タンタル・コンデンサはdV/dt が高過ぎると短絡を起こす
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固体タンタルコンデンサは、dV/dt（時間あたりの電圧変化率）が急峻すぎると、短絡（ショート）を起こす…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）測定方法
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MOSキャパシタの測定は、主にその静電容量-電圧（C-V）特性と電流-電圧（I-V）特性を評価することで行わ…
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- 高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）とは
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高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）は、複数のDRAMチップを垂直に積み重ねることで、従来…
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- MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価 における周波数設定
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MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価では、高周波数と低周波数の両方で測定を行うのが一般的です。…
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- STT-MRAMとは
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STT-MRAMは、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access M…
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- インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは？
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インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは、測定したインピーダンス（交流における抵抗）の実…
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- SOT-MRAM（スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ）とは
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SOT-MRAM（スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ）は、不揮発性メモリであるMRAMの一種です。特に…
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- GaN（窒化ガリウム）半導体とは
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GaN（窒化ガリウム）半導体は、ガリウム（Ga）と窒素（N）から成る化合物半導体です。従来の半導体の主…
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- CMOS／スピントロニクス融合技術とは
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CMOS/スピントロニクス融合技術は、従来のCMOS技術（電荷を利用する半導体技術）に、電子の持つ…
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- 酸化ガリウム（Ga2O3）半導体
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酸化ガリウム（Ga2O3）は、化学式Ga2O3で表される無機化合物で、ワイドギャップ半導体の一種です。…
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- ノーマルモードリジェクション（Normal Mode Rejection）
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「ノーマルモードリジェクション（Normal Mode Rejection）」は、測定器が持つ特定のノイズを抑制する能…
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- 次世代 X-nics 半導体創生とは
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「次世代 X-nics 半導体創生」は、日本政府が推進する「次世代X-nics半導体創生拠点形成事業」を指しま…
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- SiCパワー半導体とは
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SiCパワー半導体は、Si（シリコン）とC（炭素）の化合物である炭化ケイ素（SiC）を主材料とする半導体で…
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- PFASフリーの電子材料
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PFASフリーの電子材料は、環境規制への対応から開発が進んでいます。特に、高い電気特性が求められる電…
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- 二相変調法 (Two-Phase Modulation, TPM) とは
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二相変調法 (Two-Phase Modulation, TPM) とは モーター駆動において、インバーター…
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- エレクトロマイグレーション測定方法
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エレクトロマイグレーション（EM）の測定方法は、主に加速試験とそれに伴う抵抗値のモニタリングが中心…