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Ki（キー）Cordless Kitchenは、WPCが策定した「キッチン家電向け」のワイヤレス給電規格です。スマート…
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6.5kVのさらに上を行く10kV〜15kV級のFull-SiCパワーモジュールの内部レイアウトは、パワーエレクトロニ…
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ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…
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SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のSi（シリコン）よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…
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ハーフブリッジとフルブリッジは、パワーエレクトロニクス回路の基本的な構成であり、主にインバーター…
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおいて、バイポーラ劣化（積層欠陥の拡張）以外に最も重要視される信…
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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ペロブスカイト太陽電池における**「重ね貼り施工」**（またはタンデム構造、既存物への後付け施工）は…
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赤沢正道教授（北海道大学）は、GaN（窒化ガリウム）の界面制御や表面パッシベーションにおける第一人者…
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「USB PD 3.1 EPR（Extended Power Range）」について。 従来のUSB PD 3.0では最大100W（20V/5A）が限…
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カーボンナノチューブ（CNT）を用いた薄膜トランジスタ（TFT）は、次世代の柔軟なディスプレイやウェア…
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10kV SiC MOSFETを採用したインバータは、従来のシリコン（Si）ベースのシステムに比べ、高電圧化・高効…
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量子回路設計、特に超伝導量子ビット（トランモンなど）や共振器の設計において、インダクタンス（$L$）…
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パワースピン社がファウンドリ（半導体製造受託企業）やファブレス設計企業に向けて提供するPDK（Process …
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YMTCのXtacking®（エクスタッキング）技術は、従来の3D NANDフラッシュメモリの構造的な制約を打破し、…
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**ロジック・イン・メモリ（Logic-in-Memory）**は、現在のコンピューターが抱える最大の弱点である「デ…
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