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- 「ペロブスカイト太陽電池」の開発動向、日本の投資戦略
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2026年現在、ペロブスカイト太陽電池（PSC）は「研究開発」から「産業化・社会実装」への歴史的な転換点…
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- AVS (Adaptive Voltage Scaling)
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AVS（適応型電圧制御：Adaptive Voltage Scaling）とは AVSは、プロセッサの個体差（製造ばらつき）、…
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- 金属端子付きMLCC
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金属端子付きMLCC（積層セラミックコンデンサ）は、セラミック素体の両端に金属製のフレーム（リード端…
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- 大熊ダイヤモンドデバイス
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大熊ダイヤモンドデバイス株式会社は、北海道大学出身の星川尚久社長を中心に設立された、ダイヤモンド…
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- 分散型増幅器（DA）最新動向
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分散型増幅器（DA: Distributed Amplifier、または進行波増幅器）は、トランジスタの寄生容量を疑似伝送…
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- 差動電圧20kVのユースケース コモンモード電圧80kV
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差動電圧 20 kV（コモンモード電圧/High-Sideが 80 kV）という仕様は、極めて過酷かつ特殊な高圧絶縁・…
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- QST基板を用た高耐圧GaN HEMTデバイス
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QST基板を用いた高耐圧GaN HEMTデバイスは、従来のシリコン（Si）基板上GaNデバイスが抱えていた課題を…
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- 次世代ヘテロジニアス・インテグレーション・プラットフォーム
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「次世代ヘテロジニアス・インテグレーション・プラットフォーム（次世代HIプラットフォーム）」とは、…
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- 酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイス
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酸化ガリウム（Ga2O3）は、現在普及が進んでいるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）を超える次世代…
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- CFET と BSPDN
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CFET（相補型FET）とBSPDN（裏面電源供給ネットワーク）は、2nmプロセス以降の「ポストムーア」時代にお…
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- BLE SoCを搭載した「技適取得済みモジュール」
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SoC単体ではなく、すでにアンテナや受動部品が実装され、日本国内の「技適」を取得済みのモジュールを紹…
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- トレンチ側壁の保護膜厚の制御
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トレンチ（溝）側壁の保護膜厚の制御は、半導体プロセスにおいて**「垂直なエッチング形状（異方性）」*…
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- 絶縁型Y-Δ SR-SAB 電気自動車（EV）の急速充電器
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）は、EV（電気自動車）の急速充電器におい…
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- ペロブスカイト太陽電池 IV特性 電流の過渡応答
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）のIV特性において、電流の過渡応答は非常に重要なテーマです。シリコンと…
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- 巨大なAIサーバー向けチップの量産
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巨大なAIサーバー向けチップ（NVIDIAのBlackwell世代や、その先の1nm世代など）の量産において、高NA EU…
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- RCDスナバー SMPS
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SMPS (Switched-Mode Power Supply)においてCRスナバーが「常に抵抗でエネルギーを消費する」のに対し、…
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- CPM3-10000-0300A Wolfspeed
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Wolfspeedが2026年3月5日に発表した、業界初となる商業利用可能な10,000V（10kV）耐圧のSiC MOSFETベア…
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- 二輪車EV 普及状況
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二輪車（バイク）のEV化（電動化）は、四輪車のEV市場とは大きく異なるダイナミクスで動いています。世…
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- GaN 電力変換効率 向上方法
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GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の電力変換効率を向上させるには、オン抵抗の低減とスイッチング損失の…
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