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- ハーフブリッジ フルブリッジ
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ハーフブリッジとフルブリッジは、パワーエレクトロニクス回路の基本的な構成であり、主にインバーター…
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- SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける信頼性課題
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおいて、バイポーラ劣化（積層欠陥の拡張）以外に最も重要視される信…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- ペロブスカイト太陽電池「重ね貼り施工」
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ペロブスカイト太陽電池における**「重ね貼り施工」**（またはタンデム構造、既存物への後付け施工）は…
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- カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
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カルコゲナイド系化合物（硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物）を用いた光触媒および光電極技術…
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- GaN（窒化ガリウム）の界面制御や表面パッシベーション
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赤沢正道教授（北海道大学）は、GaN（窒化ガリウム）の界面制御や表面パッシベーションにおける第一人者…
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- USB PD 3.1 ERP
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「USB PD 3.1 EPR（Extended Power Range）」について。 従来のUSB PD 3.0では最大100W（20V/5A）が限…
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- カーボンナノチューブ（CNT）を用いた薄膜トランジスタ（TFT）
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カーボンナノチューブ（CNT）を用いた薄膜トランジスタ（TFT）は、次世代の柔軟なディスプレイやウェア…
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- 10kV SiC MOSFETを採用したインバータ
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10kV SiC MOSFETを採用したインバータは、従来のシリコン（Si）ベースのシステムに比べ、高電圧化・高効…
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- 量子設計にはインダクタンスと共振周波数の正確な予測が必要
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量子回路設計、特に超伝導量子ビット（トランモンなど）や共振器の設計において、インダクタンス（$L$）…
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- YMTCのXtacking®技術の詳細
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YMTCのXtacking®（エクスタッキング）技術は、従来の3D NANDフラッシュメモリの構造的な制約を打破し、…
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- ロジック・イン・メモリ
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**ロジック・イン・メモリ（Logic-in-Memory）**は、現在のコンピューターが抱える最大の弱点である「デ…
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- 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
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300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
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- エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)
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エクストリーム・レーザー・リフトオフ（XLO）は、東京エレクトロン（TEL）が提唱・開発した、**「削ら…
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- TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計
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TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計は、単に配線をつなぐだけでなく、「寄生抵抗」と「熱」の影響をい…
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- 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子
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「多重共鳴熱活性化遅延蛍光（Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF）…
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- SR-SAB 損失解析（コア損と銅損の配分）
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…
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- InfineonのCoolMOS vs ロームのPrestoMOS
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インフィニオンの CoolMOS™ とロームの PrestoMOS™ は、どちらもスーパージャンクション（SJ）構造を採…
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