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- 積層プロセスやMicronの進捗 HBM4
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最新の2026年の状況を踏まえ、HBM4の積層プロセスの技術的課題と、米国**Micron（マイクロン）**の驚異…
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- 透明なスマホ 発電OLED
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「発電もできる透明なスマホ」は、SF映画に出てくるような**「向こう側が透けて見える板なのに、画面が…
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- 強誘電体薄膜 脳型メモリ素子
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強誘電体薄膜を用いた**「脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）」**は、現在の計算機の限界（フ…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所（産総研）の研究チームによる**「高感度なCNT（…
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- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
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**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
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- GaN FET内蔵フライバックIC
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近年、電源の小型化・高効率化への要求が高まる中、従来のSi（シリコン）MOSFETに代わり、GaN（窒化ガリ…
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- ASMLの最先端の高NA（開口数）EUVリソグラフィ装置
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ASMLが展開する最先端の高NA（High-NA）EUVリソグラフィ装置（TWINSCAN EXEシリーズ）は、半導体微細化…
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- LDO ICメーカー
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LDO（低ドロップアウトレギュレータ）は、電源ICの中でも非常に汎用性が高く、多くの半導体メーカーが取…
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- Prof. Subhashish Bhattacharya
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ノースカロライナ州立大学（NC State University）の Subhashish Bhattacharya 教授は、パワーエレクト…
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- DrMOS（Driver + MOSFET）
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「電力段（パワー・ステージ）を担うDrMOS」、その内部構造や、なぜ大電流・高効率が求められる高性能So…
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- 六フッ化タングステン：半導体製造における「隠れたヒーロー」
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六フッ化タングステン（Tungsten Hexafluoride, WF6）は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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- CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）
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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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- SCM（ストレージクラスメモリ）「ストレージ化する半導体メモリ…
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ストレージクラスメモリ（SCM: Storage Class Memory） 「ストレージ化する半導体メモリ」 これは、従…
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- TOPS/Wの算出根拠
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TOPS/Wは、AIチップの「電力効率」を示す最も重要な指標の一つです。この数値の算出根拠は、大きく分け…
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- ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池
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「ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池（PVK/OSC Tandem）」は、現在太陽電池の研究開発において**「最…
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- ZVS（ソフトスイッチング）を維持するための位相差の制約条件
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4ポート磁気結合コンバータ（マルチアクティブブリッジ：MAB）において、ZVS（ゼロ電圧スイッチング）を…
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- 有機LAPS IV特性
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有機LAPS（光走査型電位センサー）における**IV特性（電流-電圧特性）**は、デバイスの感度や空間分解能…
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- 原子層エッチング（ALE）
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原子層エッチング（ALE: Atomic Layer Etching）は、前述のALD（原子層堆積）を鏡写しにしたような技術…
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