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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）
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vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）の面白い点は、原子1層レベルの「レゴブロック」のよう…
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- 特定次数の高調波が削減可能な双方向絶縁型DC-DCコンバータ
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双方向絶縁型DC-DCコンバータ（DABやMABなど）において、**「特定次数の高調波削減（Selective Harmonic…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- 車載信頼性規格（AEC-Q101）第5世代SiC
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トラクションインバータやOBCなどの基幹部品に第5世代SiC MOSFETを採用する上で、避けて通れないのが車…
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- セラミックコンデンサの「鳴き」現象 共振（AEC-Q200-003）
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セラミックコンデンサの「鳴き」現象は、電子機器の静かな室内で使用される際に「キーン」や「ジー」と…
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- 酸化膜電荷（Oxide Charge）とは
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酸化膜電荷（Oxide Charge）とは ～MOS構造における電気的特性に大きく影響する固定電荷～ ■ 定義 **…
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- メモリ不足によりテクノロジー業界でパニック買いが発生
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DigiTimesによると、メモリ調達ブームは2025年第4四半期に激化し、サプライチェーン全体でパニック買いを…
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- 800VシステムのEV SiC MOSFET
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ポルシェ・タイカンやヒョンデ・アイオニック5などが採用する**「800Vシステム」**は、EVの歴史における大…
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- NVIDIAは次世代AIプラットフォーム「Rubin（ルービン）」を正式…
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2026年1月、NVIDIAは次世代AIプラットフォーム**「Rubin（ルービン）」を正式に発表しました。HBM4は単…
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- 富士電機とボッシュ、互換性あるSiC車載モジュール開発
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富士電機とドイツのボッシュ（Robert Bosch）は、電動車（xEV）向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジ…
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- 脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）
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脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）は、従来のコンピュータの構造（フォン・ノイマン型）を根…
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- 太陽電池のIV特性測定法
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シリコン太陽電池のIV特性（電流-電圧特性）の測定は、セルの変換効率や最大出力を評価するための最も基…
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- USB PD (Power Delivery) アダプタ フライバックIC
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USB PD（Power Delivery）アダプタは、USB Type-Cコネクタを利用して最大240W（最新のUSB PD 3.1規格）…
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- 次世代マスク（High-kマスク等）
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次世代のHigh-kマスク（高吸収体マスク）は、高NA EUVリソグラフィにおいて不可欠な技術です。 従来のE…
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- 電力管理チップ（PMIC）
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PMICとは、Power Management IC（パワーマネジメントIC）の略で、電子機器における電源の制御と分配を一…
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- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
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IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
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