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- 変圧器の損失低減のための深層学習
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変圧器（静止器）の設計において、損失（鉄損・銅損）の低減はエネルギー効率直結の最重要課題です。深…
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- ペロブスカイト太陽電池の測定ソフト
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株式会社システムハウスサンライズ（System House Sunrise）は、太陽電池の特性評価において非常に重要…
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- SST（Solid State Transformer）
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SST（Solid State Transformer：半導体変圧器）は、従来の重くて巨大な鉄芯と銅線を用いた電磁トランス…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- FEOL/BEOL CMP
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CMP（化学的機械研磨）は、半導体製造の「前工程の前半（FEOL）」と「前工程の後半（BEOL）」の両方で不…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- 第8世代IGBT EVの航続距離
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EV（電気自動車）の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
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- QPTのMicroDynoソリューション、コギングトルクとトルクリップ…
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イギリスの技術スタートアップ、QPT（Quantum Power Transformation）社が提供する「MicroDyno」ソリュ…
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- PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術
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PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術は、可動部（モーターやミラー）を一切排除しながら、光の…
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- ゲートドライバのノイズ対策（高い dv/dt への対応）
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GaNやSiCといったワイドバンドギャップ（WBG）半導体を採用する際、最大の課題となるのが**高い dv/dt（…
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- DRT法（緩和時間分布法）
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DRT法（Distribution of Relaxation Times）は、全固体電池のインピーダンス解析において「重なった円弧…
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- CAMM2（Compression Attached Memory Module）
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CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) は、約25年間にわたりノートPCメモリの主流だったSO-DIM…
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- 平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは
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平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは ～MOS構造の基準電位を示す、界面特性評価の鍵～ ■ 定…
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- Chipletに代表されるHeterogeneous Integration
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チップレット（Chiplet）に代表されるHeterogeneous Integration（異種統合）は、半導体の微細化（ムー…
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- デマンドレスポンス（DR）VPP
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デマンドレスポンス（DR: Demand Response）について、詳しくご説明します。 DRは、電力の需要側（消費…
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- SiCコンポーネント 上面冷却（TSC）パッケージ
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SiC（炭化ケイ素）コンポーネントの上面冷却（TSC: Top Side Cooling）パッケージについて。 TSCパッケ…
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- RHOM 4ピンパッケージ（ケルビン接続）
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ローム（ROHM）が提供する4ピンパッケージ（TO-247-4Lなど）は、**「ケルビン接続（Kelvin Connection）…
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- 48VシステムにおけるDC/DCコンバータ
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48VシステムにおけるDC/DCコンバータ、およびその周辺を構成する主要な部品の選定基準について、より実…
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