GLOSSARY用語集SEM

• ナノシートFET（Nanosheet FET）

  ナノシートFET（Nanosheet FET）は、3nmノード以降の半導体プロセスにおいて、長年主流だったFinFETに代…

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• クランプダイオード（TVS）SMPS

  クランプダイオード（TVS：Transient Voltage Suppressor）は、静電気放電（ESD）や雷サージ、スイッチ…

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• 10kV耐圧SiC MOSFET「CPM3-10000-0300A」　リファレンスプラッ…

  Wolfspeedがリリースした10kV耐圧SiC MOSFET「CPM3-10000-0300A」はベアダイ（生の半導体チップ）である…

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• Gogoro（ゴゴロ）

  Gogoro（ゴゴロ / 睿能創意）は、台湾を拠点とする電動二輪車メーカーであり、世界最大規模のバッテリー…

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• MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）

  MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）は、光を扱うためのMEMS（微小電気機械システム）技術…

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• 強化窒化ガリウム（iGaN） onsemi

  強化窒化ガリウム（iGaN）は、オンセミ（onsemi）がパワー半導体市場向けに提供している独自の高性能GaN…

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• チップレット搭載FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）

  チップレット技術を用いた**FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）**は、現代の高性能プロセッサ（AIアク…

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• EMIBとは何か？

  ヘテロジーニアス・インテグレーション（異種チップ集積）は、半導体の性能向上を牽引する重要なトレン…

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• 極低温エッチング（Cryogenic Etching）

  ウエハーを極低温に冷却しながらHF（フッ化水素）プラズマを用いるエッチング技術は、次世代の半導体微…

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• I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）

  「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…

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• 二次元層状物質の人工ヘテロ構造

  二次元（2D）層状物質の人工ヘテロ構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）は、現代の材料科学において…

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• 位置推定感度と高推力を両立する単相リニアモータ

  「単相リニアモータ」において、**「位置推定感度（センサレス制御の精度）」と「高推力」**を両立させ…

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• キラル対称性の破れを伴う分子性結晶の構造転移

  分子性結晶における**キラル対称性の破れ（Chiral Symmetry Breaking）**を伴う構造転移は、物質科学と…

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• PCBパターンを巻線として利用する「平面トランス」　第5世代SiC

  第5世代SiC MOSFETの超高速スイッチング性能を最大限に引き出すために、従来の「ボビンに線を巻く」構造…

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• AEC-Q104

  AEC-Q104の概要 AEC-Q104は、2017年に策定された比較的新しい規格で、車載用マルチチップ・モジュール…

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• Ki（キー）Cordless Kitchen

  Ki（キー）Cordless Kitchenは、WPCが策定した「キッチン家電向け」のワイヤレス給電規格です。スマート…

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• 10kV Full-SiCモジュールの内部レイアウト

  6.5kVのさらに上を行く10kV〜15kV級のFull-SiCパワーモジュールの内部レイアウトは、パワーエレクトロニ…

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• ATF冷却システム

  e-Axleの高性能化（モータの超高回転化・小型化）に伴い、従来の冷却水（LLC）によるハウジング外部から…

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• ゲートバイアス（Gate Bias）とは

  ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…

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  • あ行

• SiCやGaNウェハの加工技術

  SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のSi（シリコン）よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…

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