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- MAB ポート間の干渉をデカップリング（非干渉化）する制御
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MAB（マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
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- CMOSエネルギーハーベスティング回路
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CMOS（相補型金属酸化膜半導体）プロセスを用いたエネルギーハーベスティング（環境発電）回路は、周囲…
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- トラクションインバータ 第5世代SiC
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トラクションインバータ（走行用モータを駆動するメインインバータ）は、EVにおいてバッテリーの直流（D…
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- AEC-Q200-003 「ビーム耐性試験（Beam Load Test）」
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AEC-Q200-003 は 「ビーム耐性試験（Beam Load Test）」 。 これは放射線や光線の「ビーム」ではなく、…
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- Ga2O3（酸化ガリウム）
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酸化ガリウム（Ga2O3）は、現在の主流であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）のさらに先を行く「…
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- シミュレーション（AGDの設計等）
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アクティブ・ゲートドライブ（AGD）の設計におけるシミュレーションは、前述の CMTI（ドライバの誤動作…
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- EPS（Electric Power Steering 電動パワーステアリング）
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EPS（Electric Power Steering：電動パワーステアリング）は、モータの動力によってドライバーのステア…
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- C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは
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C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは ～半導体中のドーピング分布や拡散深さを非破壊で評価する解…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
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AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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- サブテラヘルツ帯光電融合技術
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サブテラヘルツ帯光電融合技術は、エレクトロニクス（無線）技術とフォトニクス（光）技術の知見や要素…
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- SiC MOSFET「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層」
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SiC MOSFETの最新技術である**「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層（シールド層）」**は、…
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- 積層プロセスやMicronの進捗 HBM4
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最新の2026年の状況を踏まえ、HBM4の積層プロセスの技術的課題と、米国**Micron（マイクロン）**の驚異…
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- 透明なスマホ 発電OLED
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「発電もできる透明なスマホ」は、SF映画に出てくるような**「向こう側が透けて見える板なのに、画面が…
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- 強誘電体薄膜 脳型メモリ素子
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強誘電体薄膜を用いた**「脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）」**は、現在の計算機の限界（フ…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所（産総研）の研究チームによる**「高感度なCNT（…
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- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
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**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
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- GaN FET内蔵フライバックIC
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近年、電源の小型化・高効率化への要求が高まる中、従来のSi（シリコン）MOSFETに代わり、GaN（窒化ガリ…
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- ASMLの最先端の高NA（開口数）EUVリソグラフィ装置
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ASMLが展開する最先端の高NA（High-NA）EUVリソグラフィ装置（TWINSCAN EXEシリーズ）は、半導体微細化…
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- LDO ICメーカー
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LDO（低ドロップアウトレギュレータ）は、電源ICの中でも非常に汎用性が高く、多くの半導体メーカーが取…
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