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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所（産総研）の研究チームによる**「高感度なCNT（…
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- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
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**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
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- GaN FET内蔵フライバックIC
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近年、電源の小型化・高効率化への要求が高まる中、従来のSi（シリコン）MOSFETに代わり、GaN（窒化ガリ…
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- ASMLの最先端の高NA（開口数）EUVリソグラフィ装置
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ASMLが展開する最先端の高NA（High-NA）EUVリソグラフィ装置（TWINSCAN EXEシリーズ）は、半導体微細化…
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- 六フッ化タングステン：半導体製造における「隠れたヒーロー」
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六フッ化タングステン（Tungsten Hexafluoride, WF6）は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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- CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）
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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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- SCM（ストレージクラスメモリ）「ストレージ化する半導体メモリ…
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ストレージクラスメモリ（SCM: Storage Class Memory） 「ストレージ化する半導体メモリ」 これは、従…
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- TOPS/Wの算出根拠
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TOPS/Wは、AIチップの「電力効率」を示す最も重要な指標の一つです。この数値の算出根拠は、大きく分け…
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- ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池
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「ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池（PVK/OSC Tandem）」は、現在太陽電池の研究開発において**「最…
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- ZVS（ソフトスイッチング）を維持するための位相差の制約条件
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4ポート磁気結合コンバータ（マルチアクティブブリッジ：MAB）において、ZVS（ゼロ電圧スイッチング）を…
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- 有機LAPS IV特性
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有機LAPS（光走査型電位センサー）における**IV特性（電流-電圧特性）**は、デバイスの感度や空間分解能…
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- 原子層エッチング（ALE）
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原子層エッチング（ALE: Atomic Layer Etching）は、前述のALD（原子層堆積）を鏡写しにしたような技術…
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- AI業界の焦点が学習から推論へと移行 記憶媒体への影響
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2024年から2025年にかけて、AI業界のパラダイムは「巨大モデルをいかに作るか（学習）」から、**「作っ…
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- 車載規格（AEC-Q100など）
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車載規格、特に AEC-Q100 は、半導体が自動車という過酷な環境で「10年・15万キロ」使い続けられること…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）
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vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）の面白い点は、原子1層レベルの「レゴブロック」のよう…
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