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- 3コイル球面モータ 多自由度ロボット関節
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3コイル球面モータを用いたロボット関節は、まさに「機械的な肩」や「股関節」を実現するための理想的な…
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- 光の準粒子とキラル物質科学
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光の準粒子（主にポラリトン）とキラル物質科学の融合は、次世代の光子工学や材料科学において極めて重…
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- リッツ線の採用や平角線の最適配置 第5世代SiC
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第5世代SiC MOSFETの採用によりスイッチング周波数が高まると、トランスの巻線設計において「交流抵抗（…
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- 自動車エレクトロニクス協議会（AEC）
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自動車エレクトロニクス協議会（AEC: Automotive Electronics Council）は、車載電子部品の信頼性基準を…
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- FOD（Foreign Object Detection）
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ワイヤレス充電におけるFOD（Foreign Object Detection：異物検知）は、充電器とデバイスの間に「金属製…
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- 6.5kV Full-SiCモジュールの内部レイアウト
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三菱電機や日立製作所が手がける 6.5kV Full-SiCパワーモジュール（主にHV100やXHPといった大容量標準パ…
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- e-Axleにおけるキーデバイス
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e-Axleの性能（高効率、小型軽量、高出力、低騒音）を決定づけるキーデバイスは、モータ、インバータ、…
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- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
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- パワーデバイスのウエハプロセスは論理チップと何が違う？
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パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
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- TSC packages MOSFET diode circuits
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TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…
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- SiCパワーデバイスの劣化抑制に用いられる「MeV（メガ電子ボル…
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SiCパワーデバイスの劣化抑制（ピン留め効果）に用いられる「MeV（メガ電子ボルト）級」のエネルギーを…
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- テスラのCybertruckで採用された48V冗長システム
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テスラが「サイバートラック（Cybertruck）」で導入した48V冗長システムは、単なる電圧の変更を超えた、…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向
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トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向（2026年初頭時点）をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
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- ペロブスカイト太陽電池
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ペロブスカイト太陽電池は、従来のシリコン製太陽電池に代わる**「次世代太陽電池」**として、今まさに…
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- α-Ga2O3（アルファ型）
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β-Ga2O3（ベータ型）が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3（アルファ型）**は「コランダム構造」を持つメ…
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- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
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DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調（二相変調）の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…
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- 疑似容量（Pseudo-capacitance）
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CNTやペロブスカイトの評価において、**疑似容量（Pseudo-capacitance）は、物理的な「電極への電荷の蓄…
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- V-F Curve（電圧・周波数曲線）
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V-F Curve（電圧・周波数曲線）とは V-F Curveは、プロセッサが特定の周波数（$f$）で安定して動作する…
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- アンリツVNAとケースレーSMUの組み合わせによるPAE測定
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アンリツ（Anritsu）のVNA（ShockLineシリーズやVectorStar）と、ケースレー（Keithley）のSMU（2400シ…
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- ノベルクリスタルテクノロジー 酸化ガリウムウェーハ
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株式会社ノベルクリスタルテクノロジーは、タムラ製作所のカーブアウト（分離独立）からスタートした、…
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