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- SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
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最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
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- HBM4（第6世代広帯域メモリ）
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HBM4（第6世代広帯域メモリ）は、AIやハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）の爆発的な需要に応…
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- 発電もできる有機EL素子
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「発電もできる有機EL素子」という技術は、次世代のエネルギーデバイスとして非常に注目されています。…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）、応用物理学会（JSAP）での発表
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2026年2月現在**応用物理学会（JSAP）**は、ペロブスカイト太陽電池（PSC）の研究者や企業担当者が一堂…
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- ドーパント原⼦配列解析
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ドーパント原子配列解析（Dopant Atomic Configuration Analysis）は、半導体デバイスの微細化に伴い、…
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- LEDドライバICの寄生パラメータ
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LEDドライバを統合回路（IC）化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
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- 窒化ガリウム（GaN）高品質な結晶成長
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赤﨑先生の「3つの大きな壁」の突破 赤﨑先生の功績は、窒化ガリウム（GaN）という非常に扱いにくい材…
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- 電源安定化のシリコンキャパシタ
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エレクトロニクスエンジニア、特にRFや高速デジタル回路（Thunderbolt 5やConnectX-7など）に携わる方に…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- STT-MRAMやロジック・イン・メモリは「GPU（AI用チップ）」をど…
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現在のGPUは、AIブームにより需要が爆発していますが、同時に「消費電力の増大」と「メモリの壁」という…
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- 高温環境で安定して動かすためのSiCゲートドライブ回路の工夫
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300°Cという極高温環境でSiC MOSFETを安定して動作させるためには、MOSFET単体だけでなく、それを駆動す…
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- DRAMとNANDフラッシュ最新スマホへの影響
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2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM（メモリ）とNANDフラッシュ（ストレージ）の価格高…
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- CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）構造 (TEG)
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**CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）**は、半導体プロセスの評価において、特定のコンタクト（接触…
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- 無輻射再結合の抑制による発光可能な有機太陽電池
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有機太陽電池（OPV）の分野において、**「無輻射再結合（Non-radiative recombination）の抑制」**は、…
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- SiCやGaNは寄生容量 Cossが小さい
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SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
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- LLC共振コンバータ
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LLC共振コンバータとSJ-MOSFETの相性 LLC共振コンバータは、インダクタ（L）2つとキャパシタ（C）1つを…
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- 再生エネルギーとEV給電
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再生可能エネルギー（VRE）の普及と、電気自動車（EV）による給電（V2G: Vehicle to Grid）の広がりは、…
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- 原子層堆積（ALD）
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原子層堆積（ALD: Atomic Layer Deposition）は、ナノシートFETやCFETといった、ナノメートル単位の立体…
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- フィルムコンデンサ（DCリンク用）WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体である**GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）**を使用した電力変…
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- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
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HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
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