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- 宇宙空間におけるRFIC
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宇宙空間（人工衛星、宇宙探査機、月面・火星探査など）で動作するRFIC（高周波集積回路）は、地球上の…
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- 光プローブ電流センサOpECS と光アイソレーションプローブの違…
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OpECS（Optical Electric Current Sensor / 光プローブ電流センサ）と、Micsig SigOFITやTektronix IsoV…
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- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.（YMTC）
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Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (長江存儲科技有限責任公司, YMTC) は、中国の国有半導体統合デ…
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- 磁気トンネル接合（MTJ）
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パワースピン株式会社の技術の核心である**磁気トンネル接合（MTJ：Magnetic Tunneling Junction）**は…
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- 4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFET 300°C極高温動作のメリット
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4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFETは、従来のシリコン（Si）デバイスが動作限界（一般に150°C〜175°C程度…
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- TTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御
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TTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御は、半導体ウェハの「厚みの均一性」を極限まで高める…
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- 最新のTEG（Test Element Group）ケルビン
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「TEG（Test Element Group）における最新のケルビン接続（四端子法）」について、半導体プロセスの微細…
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- 磁性ジョセフソン接合であるπ接合を利用した低電力超伝導集積回…
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磁性ジョセフソン接合（Ferromagnetic Josephson Junction）を用いた**π接合**は、次世代の低電力・超高…
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- 共振インダクタとトランスの統合設計（磁気統合）
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磁気統合（Magnetic Integration）は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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- 半導体スーパージャンクション
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スーパージャンクション（SJ）構造の概要 スーパージャンクション（SJ）構造は、パワーMOSFETの性能を…
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- 第5世代SiC vs IGBT製品比較
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第5世代SiC MOSFETと、長年パワーエレクトロニクスの主役であった「枯れた技術」である**Si-IGBT（絶縁…
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- ナノシートFET（Nanosheet FET）
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ナノシートFET（Nanosheet FET）は、3nmノード以降の半導体プロセスにおいて、長年主流だったFinFETに代…
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- クランプダイオード（TVS）SMPS
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クランプダイオード（TVS：Transient Voltage Suppressor）は、静電気放電（ESD）や雷サージ、スイッチ…
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- 10kV耐圧SiC MOSFET「CPM3-10000-0300A」 リファレンスプラッ…
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Wolfspeedがリリースした10kV耐圧SiC MOSFET「CPM3-10000-0300A」はベアダイ（生の半導体チップ）である…
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- Gogoro（ゴゴロ）
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Gogoro（ゴゴロ / 睿能創意）は、台湾を拠点とする電動二輪車メーカーであり、世界最大規模のバッテリー…
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- MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）
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MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）は、光を扱うためのMEMS（微小電気機械システム）技術…
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- 強化窒化ガリウム（iGaN） onsemi
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強化窒化ガリウム（iGaN）は、オンセミ（onsemi）がパワー半導体市場向けに提供している独自の高性能GaN…
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- チップレット搭載FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）
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チップレット技術を用いた**FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）**は、現代の高性能プロセッサ（AIアク…
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- 極低温エッチング（Cryogenic Etching）
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ウエハーを極低温に冷却しながらHF（フッ化水素）プラズマを用いるエッチング技術は、次世代の半導体微…
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