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- vdW積層材料 特定の物理現象
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vdW積層材料において、従来の材料では考えられないような**「特定の物理現象」**がいくつか発見されてい…
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- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
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二次元半導体、特に**遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD：MoS2, WSe2など）**の光学的性質は、従来のバル…
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- 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度
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FIP制度（フィード・イン・プレミアム）の仕組み 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度は、従…
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- 熱によるペロブスカイト太陽電池の性能劣化をゼロにする技術
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）の最大の弱点である「熱安定性」を克服し、理論上劣化を極限まで抑えるた…
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- 高温逆バイアス試験 (HTRB) 第5世代SiC
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高温逆バイアス試験（HTRB: High Temperature Reverse Bias）は、第5世代SiC MOSFETの信頼性を評価する…
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- ハンダ接合部の疲労破壊 超音波領域（AEC-Q200-003）
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ハンダ接合部の疲労破壊において、超音波領域（20kHz以上）の振動が関与するケースは、近年の車載電子機…
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- ダイヤモンド (Diamond) 「究極の半導体」
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ダイヤモンドが「究極の半導体」と呼ばれる理由は、半導体としての物理的特性のすべてにおいて、現行の…
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- 2nm世代のGAA（Gate-All-Around）構造（特にNSFET：ナノシートF…
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2nm世代のロジック半導体において、長年業界を支えてきたFinFET（フィンFET）構造はついに物理的な限界…
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- ASIL-Dシステム
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ASIL-D（Automotive Safety Integrity Level D）は、自動車の電気・電子（E/E）システムの機能安全に関…
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- 温度依存C–V特性とは
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温度依存C–V特性とは ～温度変化によって変動する半導体デバイスのC–V挙動～ ■ 定義 **温度依存C–V特…
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- グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命
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⚡ グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命 「グリッドからゲートへ」という表現は、…
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- ペロブスカイト太陽電池
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ペロブスカイト太陽電池は、ペロブスカイト構造と呼ばれる特定の結晶構造を持つ化合物を発電層に用いた…
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- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
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テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
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- ストレージ技術とメモリ技術の進化
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ストレージとメモリの技術は、現在「AI（人工知能）」と「データ爆発」という2つの巨大な波によって、過…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- クロスバアレイの原理
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クロスバアレイ（Crossbar Array）は、脳型メモリ素子を並べて**「行列演算（積和演算）」を回路レベル…
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- 回転機・静止器設計におけるAI活用
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回転機（モータ・発電機）や静止器（変調器・受動素子）の設計現場では、従来の「熟練者の経験と勘」に…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）は、次世代の太陽電池として最も注目されている技術の一つです。シリコン…
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- アテニュエーテッド位相反転マスク（att-PSM）
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アテニュエーテッド位相反転マスク（att-PSM: Attenuated Phase Shift Mask）は、光の干渉を利用して解…
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