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- チップレット搭載FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）
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チップレット技術を用いた**FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）**は、現代の高性能プロセッサ（AIアク…
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- 極低温エッチング（Cryogenic Etching）
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ウエハーを極低温に冷却しながらHF（フッ化水素）プラズマを用いるエッチング技術は、次世代の半導体微…
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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- 二次元層状物質の人工ヘテロ構造
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二次元（2D）層状物質の人工ヘテロ構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）は、現代の材料科学において…
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- 位置推定感度と高推力を両立する単相リニアモータ
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「単相リニアモータ」において、**「位置推定感度（センサレス制御の精度）」と「高推力」**を両立させ…
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- キラル対称性の破れを伴う分子性結晶の構造転移
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分子性結晶における**キラル対称性の破れ（Chiral Symmetry Breaking）**を伴う構造転移は、物質科学と…
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- PCBパターンを巻線として利用する「平面トランス」 第5世代SiC
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第5世代SiC MOSFETの超高速スイッチング性能を最大限に引き出すために、従来の「ボビンに線を巻く」構造…
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- ゲートバイアス（Gate Bias）とは
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ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…
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- SiCやGaNウェハの加工技術
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SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のSi（シリコン）よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…
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- ハーフブリッジ フルブリッジ
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ハーフブリッジとフルブリッジは、パワーエレクトロニクス回路の基本的な構成であり、主にインバーター…
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- SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける信頼性課題
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおいて、バイポーラ劣化（積層欠陥の拡張）以外に最も重要視される信…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- ペロブスカイト太陽電池「重ね貼り施工」
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ペロブスカイト太陽電池における**「重ね貼り施工」**（またはタンデム構造、既存物への後付け施工）は…
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- カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
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カルコゲナイド系化合物（硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物）を用いた光触媒および光電極技術…
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- GaN（窒化ガリウム）の界面制御や表面パッシベーション
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赤沢正道教授（北海道大学）は、GaN（窒化ガリウム）の界面制御や表面パッシベーションにおける第一人者…
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- USB PD 3.1 ERP
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「USB PD 3.1 EPR（Extended Power Range）」について。 従来のUSB PD 3.0では最大100W（20V/5A）が限…
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