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- 原子層エッチング（ALE）
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原子層エッチング（ALE: Atomic Layer Etching）は、前述のALD（原子層堆積）を鏡写しにしたような技術…
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- USB Type-C ケーブルの仕様情報をホスト側に通信する仕組み
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USB Type-Cケーブルが自身の性能（電力許容値や転送速度）をホスト機器に伝える仕組みは、物理層の専用…
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- 次世代新幹線 フルSiC
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N700Sで「フルSiC（MOSFET＋SBD）を用いた主変換装置（インバータ・コンバータ）」が世界で初めて高速鉄…
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- AI業界の焦点が学習から推論へと移行 記憶媒体への影響
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2024年から2025年にかけて、AI業界のパラダイムは「巨大モデルをいかに作るか（学習）」から、**「作っ…
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- 車載規格（AEC-Q100など）
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車載規格、特に AEC-Q100 は、半導体が自動車という過酷な環境で「10年・15万キロ」使い続けられること…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）
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vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）の面白い点は、原子1層レベルの「レゴブロック」のよう…
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- 特定次数の高調波が削減可能な双方向絶縁型DC-DCコンバータ
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双方向絶縁型DC-DCコンバータ（DABやMABなど）において、**「特定次数の高調波削減（Selective Harmonic…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- 車載信頼性規格（AEC-Q101）第5世代SiC
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トラクションインバータやOBCなどの基幹部品に第5世代SiC MOSFETを採用する上で、避けて通れないのが車…
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- セラミックコンデンサの「鳴き」現象 共振（AEC-Q200-003）
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セラミックコンデンサの「鳴き」現象は、電子機器の静かな室内で使用される際に「キーン」や「ジー」と…
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- 酸化ガリウム 量産性 製造コスト
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酸化ガリウム（Ga2O3）の製造コストが、SiCやGaNといった他の次世代材料に比べて圧倒的に安くなると期待…
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- SOP and QFN/DFN AOI
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表面実装（SMT）基板の実装検査において、有リードパッケージであるSOP（Small Outline Package）と、ノ…
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- 酸化膜電荷（Oxide Charge）とは
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酸化膜電荷（Oxide Charge）とは ～MOS構造における電気的特性に大きく影響する固定電荷～ ■ 定義 **…
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- メモリ不足によりテクノロジー業界でパニック買いが発生
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DigiTimesによると、メモリ調達ブームは2025年第4四半期に激化し、サプライチェーン全体でパニック買いを…
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- 800VシステムのEV SiC MOSFET
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ポルシェ・タイカンやヒョンデ・アイオニック5などが採用する**「800Vシステム」**は、EVの歴史における大…
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