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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- キャリアレスハイブリッドインバータの高効率化
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キャリアレス（トランスレス）ハイブリッドインバータの高効率化は、近年の再生可能エネルギーシステム…
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「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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第5世代（Gen 5）SiC MOSFETにおいて、**帰還容量（Crss：帰還容量、または Cgd）**の低減は、スイッチ…
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ガルウイングリード（Gull-wing Lead）パッケージは、表面実装型（SMT）部品の代表的な形状の一つで、カ…
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iPhone 12以降で導入されたMagSafe充電器は、従来のワイヤレス充電規格「Qi（チー）」に、Apple独自の「…
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高周波マルチレベルSST（ソリッドステート変圧器）のトポロジは、電力インフラ（13.8kV〜35kVクラスのグ…
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酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
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TOLT (TO-Leadless Top-side Cooling)とTSPAK (TO-Leaded Small-outline Package)は、主にSiC（炭化ケイ…
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入を用いた劣化抑制技術は、主に**「バイ…
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48V車載システムにおいて、eFuse（電子ヒューズ）と理想ダイオードは、システムの信頼性と安全性を支え…
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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