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- MagSafe充電器 WPC Qi2
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iPhone 12以降で導入されたMagSafe充電器は、従来のワイヤレス充電規格「Qi（チー）」に、Apple独自の「…
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- 高周波マルチレベルSSTのトポロジ
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高周波マルチレベルSST（ソリッドステート変圧器）のトポロジは、電力インフラ（13.8kV〜35kVクラスのグ…
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- 単相200V〜240Vの交流電源（AC）と、日本の単相100V電源 CHAde…
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欧州などの海外で一般的な単相200V〜240Vの交流電源（AC）と、日本の単相100V電源の違いが、電気・電子…
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- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
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酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
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- チップレットパッケージ基板とは
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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- 複素オールパスフィルタによるPMSMのトルクリプル抑制制御
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PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
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- TOLT (TO-leadless top-side cooling) TSPAK (TO-leaded small…
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TOLT (TO-Leadless Top-side Cooling)とTSPAK (TO-Leaded Small-outline Package)は、主にSiC（炭化ケイ…
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- 高エネルギーイオン注入によるSiCパワーデバイス劣化抑制
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入を用いた劣化抑制技術は、主に**「バイ…
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- 48V車載システムにおける保護部品（eFuse / 理想ダイオード）
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48V車載システムにおいて、eFuse（電子ヒューズ）と理想ダイオードは、システムの信頼性と安全性を支え…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- 光子（Photon）＋ 物質の励起（Excitation）＝ ポラリトン
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「光子 ＋ 物質の励起 ＝ ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
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- EFG法による150 mm β-Ga2O3 単結晶の育成
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酸化ガリウム（β-Ga2O3）は、その広いバンドギャップ（約4.8 eV）と高い絶縁破壊電界により、次世代のパ…
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- ソリッドステート・トランス (SST)
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ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス（Solid State Transformer: SST）…
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- 「ペロブスカイト太陽電池」の開発動向、日本の投資戦略
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2026年現在、ペロブスカイト太陽電池（PSC）は「研究開発」から「産業化・社会実装」への歴史的な転換点…
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- AVS (Adaptive Voltage Scaling)
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AVS（適応型電圧制御：Adaptive Voltage Scaling）とは AVSは、プロセッサの個体差（製造ばらつき）、…
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- 金属端子付きMLCC
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金属端子付きMLCC（積層セラミックコンデンサ）は、セラミック素体の両端に金属製のフレーム（リード端…
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- 大熊ダイヤモンドデバイス
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大熊ダイヤモンドデバイス株式会社は、北海道大学出身の星川尚久社長を中心に設立された、ダイヤモンド…
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- 分散型増幅器（DA）最新動向
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分散型増幅器（DA: Distributed Amplifier、または進行波増幅器）は、トランジスタの寄生容量を疑似伝送…
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- 差動電圧20kVのユースケース コモンモード電圧80kV
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差動電圧 20 kV（コモンモード電圧/High-Sideが 80 kV）という仕様は、極めて過酷かつ特殊な高圧絶縁・…
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- QST基板を用た高耐圧GaN HEMTデバイス
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QST基板を用いた高耐圧GaN HEMTデバイスは、従来のシリコン（Si）基板上GaNデバイスが抱えていた課題を…
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