-
- EMIB-Tで採用されるHBM4（次世代メモリ）との連携
-
2025年に詳細が発表されたEMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）は、次世代メモリ…
-
- Si（シリコン）、SiO2（酸化膜）、および低誘電率（Low-k）膜
-
極低温でのHF（フッ化水素）プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。 S…
-
- EVにおいて、I3C EEPROMの役割
-
EV（電気自動車）の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード（事実上の標準）になりつつある…
-
- 線形EMSDトランスデューサ
-
「線形EMSDトランスデューサ（EMSD: Electromagnetic Soft Device / Electromagnetic Smart Device）」…
-
- シリコンメタサーフェスを用いた２次元ナノ材料における光・物…
-
シリコンメタサーフェスと2次元（2D）ナノ材料の組み合わせは、ナノフォトニクスにおける最もホットな領…
-
- EV用車載充電器（OBC）: 800Vシステム 事例 第5世代SiC
-
800Vシステムを採用するEV（電気自動車）において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
-
- LEVA（Light Electric Vehicle）
-
LEVA（Light Electric Vehicle：小型電気車両）向けのワイヤレス給電規格は、WPC（ワイヤレスパワーコン…
-
- 10kV Full-SiC 10ns立ち上がりを観測するために必要なオシロス…
-
10kVという超高電圧が、わずか 10ns（ナノ秒） で立ち上がる（あるいは遮断する）超高速過渡現象を、波…
-
- 高周波NVH（Noise, Vibration, Harshness）対策
-
e-Axleの超高回転化（15,000〜20,000 rpm以上）およびインバータのSiC化に伴い、EVの静粛性を脅かす高周…
-
- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
-
CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
-
- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
-
縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
-
- 公共の急速充電器（スーパーチャージャー）
-
公共の急速充電器（一般にDC急速充電器または「スーパーチャージャー」と呼ばれます）は、電気自動車（E…
-
- SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
-
最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
-
- HBM4（第6世代広帯域メモリ）
-
HBM4（第6世代広帯域メモリ）は、AIやハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）の爆発的な需要に応…
-
- 発電もできる有機EL素子
-
「発電もできる有機EL素子」という技術は、次世代のエネルギーデバイスとして非常に注目されています。…
-
- ペロブスカイト太陽電池（PSC）、応用物理学会（JSAP）での発表
-
2026年2月現在**応用物理学会（JSAP）**は、ペロブスカイト太陽電池（PSC）の研究者や企業担当者が一堂…
-
- ドーパント原⼦配列解析
-
ドーパント原子配列解析（Dopant Atomic Configuration Analysis）は、半導体デバイスの微細化に伴い、…
-
- LEDドライバICの寄生パラメータ
-
LEDドライバを統合回路（IC）化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
T&M
即納ストア
