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- vdW積層材 モアレ光学
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「モアレ光学（Moiré Optics）」は、vdW積層材料の物理学において現在最もエキサイティングなフロンティ…
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- 酸化ガリウム（β-Ga2O3）デバイスへの応用例（SBDやMOSFETなど）
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β-Ga2O3（酸化ガリウム）の150 mm基板が実現することで、パワーデバイスへの応用はいよいよ実用化のフェ…
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- 一相PWM変調方式三相インバータ
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「一相PWM変調方式」は、別名**「二相変調（Two-phase Modulation）」や「不連続PWM（DPWM: Discontinuo…
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- CNT ペロブスカイト
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カーボンナノチューブ（CNT）とペロブスカイト（特にペロブスカイト太陽電池：PSC）の組み合わせは、次…
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- ASV (Adaptive Supply Voltage)
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ASV（適応型供給電圧：Adaptive Supply Voltage）とは ASVは、半導体チップの製造時に発生する「個体差…
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- 米Element Six（エレメントシックス）ダイヤモンド半導体
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ダイヤモンド採掘・販売大手のデビアス傘下のElement Six（エレメントシックス）が日本の資金や技術を活…
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- 増幅器設計 ベイズ最適化と深層強化学習
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マイクロ波・ミリ波、そしてサブテラヘルツ帯（Dバンド/Gバンドなど）に向けた高性能増幅器（パワーアン…
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- 差動 10kV コモン50kVのユースケース
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高電圧回路のどの部分でこの仕様が必要とされるのか、構造とメカニズムを3つの代表例で解説します。 ユ…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- QST (Qromis Substrate Technology) 基板
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QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN（窒化ガリウム）デバイスの成長に特化して開発された複…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション（HI）を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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- ウェハを極限まで薄く削る技術動向
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ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- パワー半導体のSiトレンチ
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パワー半導体（IGBTやMOSFET）のSiトレンチ形成では、耐圧特性やオン抵抗に直結する**「トレンチ形状の…
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- ソフトスイッチング（ZVS/ZCS）が成立する条件
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絶縁型Y-Δ SR-SABにおいて、ソフトスイッチング（ZVS: ゼロ電圧スイッチング、ZCS: ゼロ電流スイッチン…
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- 第5世代SiC メーカー比較
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第5世代（Gen 5）のSiC MOSFETを展開している主要メーカー各社の特徴と、技術的なアプローチの比較をま…
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- DTCO: Design Technology Co-Optimization
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DTCO（Design Technology Co-Optimization：設計とプロセスの同時最適化）は、半導体の微細化が物理的限…
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