-
- NVIDIAは次世代AIプラットフォーム「Rubin（ルービン）」を正式…
-
2026年1月、NVIDIAは次世代AIプラットフォーム**「Rubin（ルービン）」を正式に発表しました。HBM4は単…
-
- 富士電機とボッシュ、互換性あるSiC車載モジュール開発
-
富士電機とドイツのボッシュ（Robert Bosch）は、電動車（xEV）向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジ…
-
- 脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）
-
脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）は、従来のコンピュータの構造（フォン・ノイマン型）を根…
-
- 太陽電池のIV特性測定法
-
シリコン太陽電池のIV特性（電流-電圧特性）の測定は、セルの変換効率や最大出力を評価するための最も基…
-
- USB PD (Power Delivery) アダプタ フライバックIC
-
USB PD（Power Delivery）アダプタは、USB Type-Cコネクタを利用して最大240W（最新のUSB PD 3.1規格）…
-
- 次世代マスク（High-kマスク等）
-
次世代のHigh-kマスク（高吸収体マスク）は、高NA EUVリソグラフィにおいて不可欠な技術です。 従来のE…
-
- ON/OFF型コンバーターの不安定要素
-
ON/OFF型コンバーター（スイッチングレギュレータ）において、動作が不安定になる要因は、制御ループの…
-
- 中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびインバータ開発状況
-
中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびそれを用いたインバータ開発は、国家プロジェクトとしての…
-
- 電力管理チップ（PMIC）
-
PMICとは、Power Management IC（パワーマネジメントIC）の略で、電子機器における電源の制御と分配を一…
-
- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
-
IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
-
- MgO-based magnetic tunnel junctions とは
-
MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) とは、スピン（電子の磁気的性質）を利用した次世代デ…
-
- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
-
2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
-
- JetsonとHailoを比較
-
エッジAI市場における2大巨頭、NVIDIA JetsonとHailoを比較すると、その設計思想（アーキテクチャ）の違…
-
- フォトニック結晶面発光レーザー
-
フォトニック結晶面発光レーザー（PCSEL: Photonic-Crystal Surface-Emitting Laser）は、次世代の光技…
-
- EPS (Extended Phase Shift) / DPS (Dual Phase Shift)
-
4ポート磁気結合コンバータ（MAB）において、単純な位相差制御（SPS: Single Phase Shift）の弱点を克服…
-
- 裏面電源供給技術「Super Power Rail（SPR）」
-
Super Power Rail（SPR）は、imecが提唱し、Intel、TSMC、Samsungなどの主要メーカーが1nm（オングスト…
-
- BMC（Biphase Mark Coding） 符号化方式
-
USB PDのCCラインで採用されているBMC（Biphase Mark Coding）は、データ信号とクロック信号を一つにま…
T&M
即納ストア