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- 「第8世代IGBT」で具体的にどれくらい小型化が進むのか
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三菱電機が2025年1月に発表し、2月にサンプル提供を開始した最新の**「第8世代IGBT」**は、従来の第7世…
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- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ（NVM）今後は？
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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- サファイア基板上AlGaN系レーザーダイオードの318 nm室温CW発振
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サファイア基板を用いたAlGaN系深紫外レーザーダイオード（UV-LD）における318 nmでの室温連続波（CW）…
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- 磁性流体を用いた可変インダクタ
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磁性流体（磁性ナノ粒子をベースオイルに分散させた液体）を用いた可変インダクタは、従来の可動部を持…
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- 再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池
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再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池（RM-ZAB）の概要 再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池（Redox…
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- トランスの劇的な小型化（高出力密度化）SiC（Gen 5）
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SiC MOSFETの第5世代（Gen 5）化によって実現される「トランスの劇的な小型化」は、パワーエレクトロニ…
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- 100V Nチャンネル車載グレードMOSFET
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Diodes Incorporated社のDMTH10H1M7SPGWQは、48V車載システム（マイルドハイブリッド等）の電源管理やDC…
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- WPC（ワイヤレスパワーコンソーシアム）
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WPC（ワイヤレスパワーコンソーシアム / Wireless Power Consortium）は、ワイヤレス給電の国際標準規格…
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- インバータの「アクティブゲートドライブによるノイズ低減シミ…
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インバータの設計、特に10kV超の超高耐圧SiC MOSFETやGaNデバイスを扱う上で、「アクティブ・ゲートドラ…
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- 界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは
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界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは ～MOS界面の電気的品質を左右する重要パラメータ～ …
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- PER-DDPGを用いた狭路環境におけるロボット移動
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PER-DDPG（Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient）を用いた狭路環境に…
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- SiC 超低VF 低Rds(on)
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SiC（炭化ケイ素）が持つ超低VF（順方向電圧）と低RDS(on)（オン抵抗）は、シリコン（Si）半導体に対す…
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- 高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術、MOSFETとPiNダイオ…
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高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術を、MOSFETとPiNダイオードという2つの代表的なデバイスに適…
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- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
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48Vシステム、特に自動運転（AD）や電子制御ブレーキ（brakes-by-wire）などの安全に関わるシステムでは…
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- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
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トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界（JFET抵抗やセル密度の制約）を打…
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- vdW積層材 モアレ光学
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「モアレ光学（Moiré Optics）」は、vdW積層材料の物理学において現在最もエキサイティングなフロンティ…
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- 酸化ガリウム（β-Ga2O3）デバイスへの応用例（SBDやMOSFETなど）
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β-Ga2O3（酸化ガリウム）の150 mm基板が実現することで、パワーデバイスへの応用はいよいよ実用化のフェ…
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- 一相PWM変調方式三相インバータ
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「一相PWM変調方式」は、別名**「二相変調（Two-phase Modulation）」や「不連続PWM（DPWM: Discontinuo…
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- CNT ペロブスカイト
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カーボンナノチューブ（CNT）とペロブスカイト（特にペロブスカイト太陽電池：PSC）の組み合わせは、次…
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- ASV (Adaptive Supply Voltage)
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ASV（適応型供給電圧：Adaptive Supply Voltage）とは ASVは、半導体チップの製造時に発生する「個体差…
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