-
- SMUのシンクとしての使用方法
-
太陽電池の測定において、ソースメジャーユニット（SMU）を「シンク（電子負荷）」として使用するのは、…
-
- IOWNの「光電融合」とAIチップと連携
-
IOWNの「光電融合」は、AIチップ（GPUやAIアクセラレータ）の性能を限界まで引き出し、かつ致命的な課題…
-
- 「ハーフフィールド」化に伴うステッチング精度
-
ハーフフィールド化に伴うステッチング（Stitching）は、高NA EUVリソグラフィにおいて最も技術的難易度…
-
- 半導体CV特性測定器とは
-
半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
-
- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
-
GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
-
- ダブルゲート構造IEGT技術
-
ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
-
- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
-
**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
-
- HPC/AIインターコネクトの技術動向
-
2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
-
- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
-
三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
-
- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
-
QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
-
- フラッシュLiDAR
-
「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
-
- キャリアレスハイブリッドインバータの高効率化
-
キャリアレス（トランスレス）ハイブリッドインバータの高効率化は、近年の再生可能エネルギーシステム…
-
- デバイ・リラクゼーションの連続体
-
「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
-
- SiC (Gen 5) 帰還容量 Crss
-
第5世代（Gen 5）SiC MOSFETにおいて、**帰還容量（Crss：帰還容量、または Cgd）**の低減は、スイッチ…
-
- ガルウイングリードパッケージ（Gull-wing Lead）
-
ガルウイングリード（Gull-wing Lead）パッケージは、表面実装型（SMT）部品の代表的な形状の一つで、カ…
-
- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
-
酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
-
- チップレットパッケージ基板とは
-
チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
-
- 複素オールパスフィルタによるPMSMのトルクリプル抑制制御
-
PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
-
- TOLT (TO-leadless top-side cooling) TSPAK (TO-leaded small…
-
TOLT (TO-Leadless Top-side Cooling)とTSPAK (TO-Leaded Small-outline Package)は、主にSiC（炭化ケイ…
-
- 高エネルギーイオン注入によるSiCパワーデバイス劣化抑制
-
SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入を用いた劣化抑制技術は、主に**「バイ…
T&M
即納ストア