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- 負のインダクタンスでコンデンサーのESLを打ち消す
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積層セラミックコンデンサ（MLCC）の高性能化において、寄生インダクタンス（ESL）の相殺は、RFSoCなど…
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- GeO2（二酸化ゲルマニウム）
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二酸化ゲルマニウム（GeO2）は、2020年代に入り、酸化ガリウム（Ga2O3）と並んで「次々世代」の超ワイド…
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- 超低消費電力無線機 エネルギー効率を1000倍向上
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無線通信において「エネルギー効率を1000倍向上させる」という目標は、従来のアーキテクチャの延長線上…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- セレン化インジウム（In2Se3）
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セレン化インジウム（Indium(III) selenide、In2Se3）は、インジウム（In）とセレン（Se）からなる半導…
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- BMWやベンツなどがGaNをどう車載に組み込もうとしているか？
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2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN（窒…
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- 次世代半導体技術（Emerging semiconductor technologies）
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2026年現在、半導体技術は「生成AIの爆発的普及」と「微細化の物理的限界」という2つの大きな転換点に直…
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- コイン電池で駆動する低電圧な小型BLE SoC
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低電圧・コイン電池（CR2032など）での駆動を前提とした小型BLE（Bluetooth Low Energy）SoCは、現在のI…
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- Radical/Ion switch機能
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「Radical/Ion switch（ラジカル/イオン・スイッチ）」機能について。これは主に、**LC-MS（液体クロマ…
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- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
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- SMUのシンクとしての使用方法
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太陽電池の測定において、ソースメジャーユニット（SMU）を「シンク（電子負荷）」として使用するのは、…
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- IOWNの「光電融合」とAIチップと連携
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IOWNの「光電融合」は、AIチップ（GPUやAIアクセラレータ）の性能を限界まで引き出し、かつ致命的な課題…
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- 「ハーフフィールド」化に伴うステッチング精度
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ハーフフィールド化に伴うステッチング（Stitching）は、高NA EUVリソグラフィにおいて最も技術的難易度…
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- Snubber の語源
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「スナバー（Snubber）」という言葉の語源は、英語の動詞である "snub" に由来しています。 もともとの…
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- コモンモード電圧85kV、差動電圧10kVを超える光アイソレーショ…
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「コモンモード電圧85kV」「差動電圧10,000V（10kV）」という極めて高い要求仕様を満たす光アイソレーシ…
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- 半導体CV特性測定器とは
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半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- HPC/AIインターコネクトの技術動向
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2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
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