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- 100V Nチャンネル車載グレードMOSFET
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Diodes Incorporated社のDMTH10H1M7SPGWQは、48V車載システム（マイルドハイブリッド等）の電源管理やDC…
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- WPC（ワイヤレスパワーコンソーシアム）
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WPC（ワイヤレスパワーコンソーシアム / Wireless Power Consortium）は、ワイヤレス給電の国際標準規格…
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- インバータの「アクティブゲートドライブによるノイズ低減シミ…
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インバータの設計、特に10kV超の超高耐圧SiC MOSFETやGaNデバイスを扱う上で、「アクティブ・ゲートドラ…
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- e-Axle（イーアクスル）
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近年、電気自動車（EV）の中核コンポーネントであるe-Axle（イーアクスル）は、従来の「3-in-1」から、…
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- 界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは
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界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは ～MOS界面の電気的品質を左右する重要パラメータ～ …
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- PER-DDPGを用いた狭路環境におけるロボット移動
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PER-DDPG（Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient）を用いた狭路環境に…
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- SiC 超低VF 低Rds(on)
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SiC（炭化ケイ素）が持つ超低VF（順方向電圧）と低RDS(on)（オン抵抗）は、シリコン（Si）半導体に対す…
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- 高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術、MOSFETとPiNダイオ…
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高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術を、MOSFETとPiNダイオードという2つの代表的なデバイスに適…
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- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
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48Vシステム、特に自動運転（AD）や電子制御ブレーキ（brakes-by-wire）などの安全に関わるシステムでは…
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- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
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トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界（JFET抵抗やセル密度の制約）を打…
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- vdW積層材 モアレ光学
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「モアレ光学（Moiré Optics）」は、vdW積層材料の物理学において現在最もエキサイティングなフロンティ…
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- 酸化ガリウム（β-Ga2O3）デバイスへの応用例（SBDやMOSFETなど）
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β-Ga2O3（酸化ガリウム）の150 mm基板が実現することで、パワーデバイスへの応用はいよいよ実用化のフェ…
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- 一相PWM変調方式三相インバータ
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「一相PWM変調方式」は、別名**「二相変調（Two-phase Modulation）」や「不連続PWM（DPWM: Discontinuo…
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- CNT ペロブスカイト
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カーボンナノチューブ（CNT）とペロブスカイト（特にペロブスカイト太陽電池：PSC）の組み合わせは、次…
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- ASV (Adaptive Supply Voltage)
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ASV（適応型供給電圧：Adaptive Supply Voltage）とは ASVは、半導体チップの製造時に発生する「個体差…
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- 米Element Six（エレメントシックス）ダイヤモンド半導体
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ダイヤモンド採掘・販売大手のデビアス傘下のElement Six（エレメントシックス）が日本の資金や技術を活…
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- 増幅器設計 ベイズ最適化と深層強化学習
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マイクロ波・ミリ波、そしてサブテラヘルツ帯（Dバンド/Gバンドなど）に向けた高性能増幅器（パワーアン…
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- 差動 10kV コモン50kVのユースケース
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高電圧回路のどの部分でこの仕様が必要とされるのか、構造とメカニズムを3つの代表例で解説します。 ユ…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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