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- BMC（Biphase Mark Coding） 符号化方式
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USB PDのCCラインで採用されているBMC（Biphase Mark Coding）は、データ信号とクロック信号を一つにま…
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- 高電圧（400V / 800V）システム 日本車での事例
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日本車（国内自動車メーカー）における高電圧（400V / 800V）システムの事例について、リアルな最新状況…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは
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MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは ～金属‐酸化膜‐半導体構造を持つ基本的なC–V測定用デバイス～ ■ …
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- 高電圧に耐えるように設計されたコンデンサー
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高電圧（HV）コンデンサーは、数千ボルト（V）以上の電圧に耐え、安定して動作できるように特殊な設計が…
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- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
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2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
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- 48V車載パワー・システム
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48V車載パワー・システム（48V車載電源システム）は、従来の12V電源に代わる、あるいは並列して導入され…
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- DONUT LABの全固体電池 体積エネルギー密度（サイズ感）
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DONUT LABの全固体電池における「体積エネルギー密度（サイズ感）」は、実は同社が最も明言を避けている…
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- vdW積層材料 特定の物理現象
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vdW積層材料において、従来の材料では考えられないような**「特定の物理現象」**がいくつか発見されてい…
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- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
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二次元半導体、特に**遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD：MoS2, WSe2など）**の光学的性質は、従来のバル…
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- 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度
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FIP制度（フィード・イン・プレミアム）の仕組み 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度は、従…
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- 熱によるペロブスカイト太陽電池の性能劣化をゼロにする技術
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）の最大の弱点である「熱安定性」を克服し、理論上劣化を極限まで抑えるた…
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- 高温逆バイアス試験 (HTRB) 第5世代SiC
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高温逆バイアス試験（HTRB: High Temperature Reverse Bias）は、第5世代SiC MOSFETの信頼性を評価する…
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- ハンダ接合部の疲労破壊 超音波領域（AEC-Q200-003）
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ハンダ接合部の疲労破壊において、超音波領域（20kHz以上）の振動が関与するケースは、近年の車載電子機…
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- ダイヤモンド (Diamond) 「究極の半導体」
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ダイヤモンドが「究極の半導体」と呼ばれる理由は、半導体としての物理的特性のすべてにおいて、現行の…
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- 2nm世代のGAA（Gate-All-Around）構造（特にNSFET：ナノシートF…
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2nm世代のロジック半導体において、長年業界を支えてきたFinFET（フィンFET）構造はついに物理的な限界…
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- ASIL-Dシステム
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ASIL-D（Automotive Safety Integrity Level D）は、自動車の電気・電子（E/E）システムの機能安全に関…
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- 温度依存C–V特性とは
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温度依存C–V特性とは ～温度変化によって変動する半導体デバイスのC–V挙動～ ■ 定義 **温度依存C–V特…
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- グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命
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⚡ グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命 「グリッドからゲートへ」という表現は、…
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ペロブスカイト太陽電池は、ペロブスカイト構造と呼ばれる特定の結晶構造を持つ化合物を発電層に用いた…
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