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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- キャリアレスハイブリッドインバータの高効率化
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キャリアレス（トランスレス）ハイブリッドインバータの高効率化は、近年の再生可能エネルギーシステム…
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- デバイ・リラクゼーションの連続体
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「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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- SiC (Gen 5) 帰還容量 Crss
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第5世代（Gen 5）SiC MOSFETにおいて、**帰還容量（Crss：帰還容量、または Cgd）**の低減は、スイッチ…
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- ガルウイングリードパッケージ（Gull-wing Lead）
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ガルウイングリード（Gull-wing Lead）パッケージは、表面実装型（SMT）部品の代表的な形状の一つで、カ…
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- MagSafe充電器 WPC Qi2
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iPhone 12以降で導入されたMagSafe充電器は、従来のワイヤレス充電規格「Qi（チー）」に、Apple独自の「…
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- 高周波マルチレベルSSTのトポロジ
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高周波マルチレベルSST（ソリッドステート変圧器）のトポロジは、電力インフラ（13.8kV〜35kVクラスのグ…
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- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
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酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
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- チップレットパッケージ基板とは
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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- 複素オールパスフィルタによるPMSMのトルクリプル抑制制御
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PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
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- TOLT (TO-leadless top-side cooling) TSPAK (TO-leaded small…
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TOLT (TO-Leadless Top-side Cooling)とTSPAK (TO-Leaded Small-outline Package)は、主にSiC（炭化ケイ…
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- 高エネルギーイオン注入によるSiCパワーデバイス劣化抑制
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入を用いた劣化抑制技術は、主に**「バイ…
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- 48V車載システムにおける保護部品（eFuse / 理想ダイオード）
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48V車載システムにおいて、eFuse（電子ヒューズ）と理想ダイオードは、システムの信頼性と安全性を支え…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- 光子（Photon）＋ 物質の励起（Excitation）＝ ポラリトン
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「光子 ＋ 物質の励起 ＝ ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
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- EFG法による150 mm β-Ga2O3 単結晶の育成
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酸化ガリウム（β-Ga2O3）は、その広いバンドギャップ（約4.8 eV）と高い絶縁破壊電界により、次世代のパ…
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- ソリッドステート・トランス (SST)
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ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス（Solid State Transformer: SST）…
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- 「ペロブスカイト太陽電池」の開発動向、日本の投資戦略
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2026年現在、ペロブスカイト太陽電池（PSC）は「研究開発」から「産業化・社会実装」への歴史的な転換点…
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