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- EV用車載充電器（OBC）: 800Vシステム 事例 第5世代SiC
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800Vシステムを採用するEV（電気自動車）において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
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- LEVA（Light Electric Vehicle）
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LEVA（Light Electric Vehicle：小型電気車両）向けのワイヤレス給電規格は、WPC（ワイヤレスパワーコン…
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- 10kV Full-SiC 10ns立ち上がりを観測するために必要なオシロス…
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10kVという超高電圧が、わずか 10ns（ナノ秒） で立ち上がる（あるいは遮断する）超高速過渡現象を、波…
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- 高周波NVH（Noise, Vibration, Harshness）対策
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e-Axleの超高回転化（15,000〜20,000 rpm以上）およびインバータのSiC化に伴い、EVの静粛性を脅かす高周…
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- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
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CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- 公共の急速充電器（スーパーチャージャー）
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公共の急速充電器（一般にDC急速充電器または「スーパーチャージャー」と呼ばれます）は、電気自動車（E…
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- SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
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最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
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- HBM4（第6世代広帯域メモリ）
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HBM4（第6世代広帯域メモリ）は、AIやハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）の爆発的な需要に応…
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- 発電もできる有機EL素子
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「発電もできる有機EL素子」という技術は、次世代のエネルギーデバイスとして非常に注目されています。…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）、応用物理学会（JSAP）での発表
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2026年2月現在**応用物理学会（JSAP）**は、ペロブスカイト太陽電池（PSC）の研究者や企業担当者が一堂…
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- ドーパント原⼦配列解析
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ドーパント原子配列解析（Dopant Atomic Configuration Analysis）は、半導体デバイスの微細化に伴い、…
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- LEDドライバICの寄生パラメータ
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LEDドライバを統合回路（IC）化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
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- 窒化ガリウム（GaN）高品質な結晶成長
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赤﨑先生の「3つの大きな壁」の突破 赤﨑先生の功績は、窒化ガリウム（GaN）という非常に扱いにくい材…
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- 電源安定化のシリコンキャパシタ
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エレクトロニクスエンジニア、特にRFや高速デジタル回路（Thunderbolt 5やConnectX-7など）に携わる方に…
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- CNT-TFT 遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax)
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CNT-TFTや高周波デバイスの性能指標である遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax) をVNAで測…
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- 18kV SiC MOSFETを採用したインバータ
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18kV SiC MOSFETを採用したインバータは、現在パワーエレクトロニクスにおける世界最先端の技術領域であ…
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- GaN SBDのオン抵抗
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GaN（窒化ガリウム）を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）は、従来のSi（シリコン）やSiC（炭化…
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- Everspin Technologies：ティッカーMRAM
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米国NASDAQ市場に上場しているエバースピン・テクノロジーズ（Everspin Technologies, Inc. / ティッカ…
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