-
- e-Axleにおけるキーデバイス
-
e-Axleの性能（高効率、小型軽量、高出力、低騒音）を決定づけるキーデバイスは、モータ、インバータ、…
-
- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
-
高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
-
- パワーデバイスのウエハプロセスは論理チップと何が違う？
-
パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
-
- TSC packages MOSFET diode circuits
-
TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…
-
- SiCパワーデバイスの劣化抑制に用いられる「MeV（メガ電子ボル…
-
SiCパワーデバイスの劣化抑制（ピン留め効果）に用いられる「MeV（メガ電子ボルト）級」のエネルギーを…
-
- テスラのCybertruckで採用された48V冗長システム
-
テスラが「サイバートラック（Cybertruck）」で導入した48V冗長システムは、単なる電圧の変更を超えた、…
-
- トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向
-
トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向（2026年初頭時点）をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
-
- ペロブスカイト太陽電池
-
ペロブスカイト太陽電池は、従来のシリコン製太陽電池に代わる**「次世代太陽電池」**として、今まさに…
-
- α-Ga2O3（アルファ型）
-
β-Ga2O3（ベータ型）が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3（アルファ型）**は「コランダム構造」を持つメ…
-
- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
-
DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調（二相変調）の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…
-
- 疑似容量（Pseudo-capacitance）
-
CNTやペロブスカイトの評価において、**疑似容量（Pseudo-capacitance）は、物理的な「電極への電荷の蓄…
-
- V-F Curve（電圧・周波数曲線）
-
V-F Curve（電圧・周波数曲線）とは V-F Curveは、プロセッサが特定の周波数（$f$）で安定して動作する…
-
- アンリツVNAとケースレーSMUの組み合わせによるPAE測定
-
アンリツ（Anritsu）のVNA（ShockLineシリーズやVectorStar）と、ケースレー（Keithley）のSMU（2400シ…
-
- ノベルクリスタルテクノロジー 酸化ガリウムウェーハ
-
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーは、タムラ製作所のカーブアウト（分離独立）からスタートした、…
-
- 宇宙空間におけるRFIC
-
宇宙空間（人工衛星、宇宙探査機、月面・火星探査など）で動作するRFIC（高周波集積回路）は、地球上の…
-
- 光プローブ電流センサOpECS と光アイソレーションプローブの違…
-
OpECS（Optical Electric Current Sensor / 光プローブ電流センサ）と、Micsig SigOFITやTektronix IsoV…
-
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.（YMTC）
-
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (長江存儲科技有限責任公司, YMTC) は、中国の国有半導体統合デ…
-
- 磁気トンネル接合（MTJ）
-
パワースピン株式会社の技術の核心である**磁気トンネル接合（MTJ：Magnetic Tunneling Junction）**は…
-
- 4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFET 300°C極高温動作のメリット
-
4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFETは、従来のシリコン（Si）デバイスが動作限界（一般に150°C〜175°C程度…
-
- TTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御
-
TTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御は、半導体ウェハの「厚みの均一性」を極限まで高める…
T&M
即納ストア
