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- SiC（シリコンカーバイド）SBD SMPS
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SiC-SBD（シリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード）は、次世代パワー半導体素材であるSiCを…
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- Wolfspeed vs 日本のメーカー
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Wolfspeedが2026年3月に10kV SiC MOSFET（CPM3-10000-0300A）を商用リリースし、超高耐圧領域でのリード…
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- フィルムコンデンサ（DCリンク用）WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体である**GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）**を使用した電力変…
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- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
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HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
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- 極低温HFプラズマエッチング技術 東京エレクトロン社の最新動向
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東京エレクトロン（TEL）の最新動向として、極低温（クライオジェニック）エッチング技術は、同社の成長…
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- Broadcomの完全統合型ホール電流センサー
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Broadcomの「完全統合型ホール電流センサー（Fully Integrated Hall Effect Current Sensor）」は、主に…
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- 「魔法角」でなぜ超伝導が起きるのか
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「なぜ、ただの炭素シートを1.1度ひねるだけで超伝導になるのか？」 これは現代物理学でも最も熱い問い…
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- DC-DC MAB型コンバータ
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MAB（Multi-Active Bridge：マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータは、DAB（Dual Active Bridge）…
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- キラル物質科学 ペロブスカイト
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「キラル物質科学」は、鏡に映した像（鏡像）が元の自分自身と重なり合わない性質、すなわち**「対掌性…
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- 第5世代SiC OBC Crss ローム
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ローム（ROHM）の第5世代SiC MOSFET（開発中・順次投入）は、車載充電器（OBC）の次世代スタンダードを…
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- 次世代パワー半導体 「期待の5材料」
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次世代パワー半導体における「期待の5材料」は、現在主流のシリコン（Si）の限界を超えるワイドバンドギ…
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- FS（Field Stop）-IGBT
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🛡️ FS-IGBT (Field Stop IGBT) とは FS-IGBTは、従来のIGBT（Non-Punch Through IGBT: NPT-IGB…
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- GaNパワー半導体バブル
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「GaN（窒化ガリウム）パワー半導体 バブル」は、SiCと同様に、その市場が急速に成長していることによる…
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- 車載用SiC MOSFET市場（テスラやBYDなど）どの構造?
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2026年現在の車載用SiC MOSFET市場では、**「信頼性のプレーナー型」から「高効率・小型化のトレンチ型…
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- 積層プロセスやSamsungの進捗 HBM4
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HBM4における積層プロセスは、従来の限界を突破するための主戦場となっています。特にこれまでSK hynix…
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- OLED 赤・緑・青（RGB）の3色すべてで発光と発電を両立
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2026年1月現在、NHK放送技術研究所（技研）や千葉大学などのグループが、**「赤・緑・青（RGB）の3色す…
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