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Wolfspeedから2026年3月にリリースされた 「CPM3-10000-0300A」 は、製品形態として「ベアダイ（チップ…
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- Gachaco（ガチャコ）
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Gachaco（ガチャコ）は、日本の二輪車電動化において最も重要な鍵を握る「共通仕様バッテリーのシェアリ…
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）の分野でも、第8世代IGBTと今回解明された「水素のメカニズ…
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EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新動向とロードマップを整理しました。 202…
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- HTA技術のプロセス詳細
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名城大学の三宅教授らが確立したHTA（High-Temperature Annealing：高温熱処理）技術は、サファイア基板…
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3コイル球面モータを用いたロボット関節は、まさに「機械的な肩」や「股関節」を実現するための理想的な…
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光の準粒子（主にポラリトン）とキラル物質科学の融合は、次世代の光子工学や材料科学において極めて重…
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第5世代SiC MOSFETの採用によりスイッチング周波数が高まると、トランスの巻線設計において「交流抵抗（…
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自動車エレクトロニクス協議会（AEC: Automotive Electronics Council）は、車載電子部品の信頼性基準を…
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ワイヤレス充電におけるFOD（Foreign Object Detection：異物検知）は、充電器とデバイスの間に「金属製…
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三菱電機や日立製作所が手がける 6.5kV Full-SiCパワーモジュール（主にHV100やXHPといった大容量標準パ…
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e-Axleの性能（高効率、小型軽量、高出力、低騒音）を決定づけるキーデバイスは、モータ、インバータ、…
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
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- パワーデバイスのウエハプロセスは論理チップと何が違う？
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パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
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TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…
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SiCパワーデバイスの劣化抑制（ピン留め効果）に用いられる「MeV（メガ電子ボルト）級」のエネルギーを…
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