-
- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
-
高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
-
- STT-MRAMやロジック・イン・メモリは「GPU（AI用チップ）」をど…
-
現在のGPUは、AIブームにより需要が爆発していますが、同時に「消費電力の増大」と「メモリの壁」という…
-
- 高温環境で安定して動かすためのSiCゲートドライブ回路の工夫
-
300°Cという極高温環境でSiC MOSFETを安定して動作させるためには、MOSFET単体だけでなく、それを駆動す…
-
- DRAMとNANDフラッシュ最新スマホへの影響
-
2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM（メモリ）とNANDフラッシュ（ストレージ）の価格高…
-
- CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）構造 (TEG)
-
**CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）**は、半導体プロセスの評価において、特定のコンタクト（接触…
-
- 無輻射再結合の抑制による発光可能な有機太陽電池
-
有機太陽電池（OPV）の分野において、**「無輻射再結合（Non-radiative recombination）の抑制」**は、…
-
- SiCやGaNは寄生容量 Cossが小さい
-
SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
-
- LLC共振コンバータ
-
LLC共振コンバータとSJ-MOSFETの相性 LLC共振コンバータは、インダクタ（L）2つとキャパシタ（C）1つを…
-
- 再生エネルギーとEV給電
-
再生可能エネルギー（VRE）の普及と、電気自動車（EV）による給電（V2G: Vehicle to Grid）の広がりは、…
-
- 原子層堆積（ALD）
-
原子層堆積（ALD: Atomic Layer Deposition）は、ナノシートFETやCFETといった、ナノメートル単位の立体…
-
- SiC（シリコンカーバイド）SBD SMPS
-
SiC-SBD（シリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード）は、次世代パワー半導体素材であるSiCを…
-
- Wolfspeed vs 日本のメーカー
-
Wolfspeedが2026年3月に10kV SiC MOSFET（CPM3-10000-0300A）を商用リリースし、超高耐圧領域でのリード…
-
- イリノイ量子マイクロエレクトロニクスパーク（IQMP）
-
イリノイ量子マイクロエレクトロニクスパーク（IQMP: Illinois Quantum and Microelectronics Park）は…
-
- フィルムコンデンサ（DCリンク用）WBG用
-
WBG（ワイドバンドギャップ）半導体である**GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）**を使用した電力変…
-
- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
-
HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
-
- 極低温HFプラズマエッチング技術 東京エレクトロン社の最新動向
-
東京エレクトロン（TEL）の最新動向として、極低温（クライオジェニック）エッチング技術は、同社の成長…
-
- Broadcomの完全統合型ホール電流センサー
-
Broadcomの「完全統合型ホール電流センサー（Fully Integrated Hall Effect Current Sensor）」は、主に…
-
- 「魔法角」でなぜ超伝導が起きるのか
-
「なぜ、ただの炭素シートを1.1度ひねるだけで超伝導になるのか？」 これは現代物理学でも最も熱い問い…
-
- DC-DC MAB型コンバータ
-
MAB（Multi-Active Bridge：マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータは、DAB（Dual Active Bridge）…
T&M
即納ストア
