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- Radical/Ion switch機能
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「Radical/Ion switch（ラジカル/イオン・スイッチ）」機能について。これは主に、**LC-MS（液体クロマ…
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- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
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- SMUのシンクとしての使用方法
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太陽電池の測定において、ソースメジャーユニット（SMU）を「シンク（電子負荷）」として使用するのは、…
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- IOWNの「光電融合」とAIチップと連携
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IOWNの「光電融合」は、AIチップ（GPUやAIアクセラレータ）の性能を限界まで引き出し、かつ致命的な課題…
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- 「ハーフフィールド」化に伴うステッチング精度
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ハーフフィールド化に伴うステッチング（Stitching）は、高NA EUVリソグラフィにおいて最も技術的難易度…
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- Snubber の語源
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「スナバー（Snubber）」という言葉の語源は、英語の動詞である "snub" に由来しています。 もともとの…
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- コモンモード電圧85kV、差動電圧10kVを超える光アイソレーショ…
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「コモンモード電圧85kV」「差動電圧10,000V（10kV）」という極めて高い要求仕様を満たす光アイソレーシ…
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- VCO 高精度DC測定 SMU
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高性能VCOの特性評価において、SMU（ソース・メジャー・ユニット）は「必須」とまでは言えませんが、高…
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- 半導体CV特性測定器とは
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半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- HPC/AIインターコネクトの技術動向
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2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- キャリアレスハイブリッドインバータの高効率化
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キャリアレス（トランスレス）ハイブリッドインバータの高効率化は、近年の再生可能エネルギーシステム…
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- デバイ・リラクゼーションの連続体
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「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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- SiC (Gen 5) 帰還容量 Crss
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第5世代（Gen 5）SiC MOSFETにおいて、**帰還容量（Crss：帰還容量、または Cgd）**の低減は、スイッチ…
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- ガルウイングリードパッケージ（Gull-wing Lead）
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ガルウイングリード（Gull-wing Lead）パッケージは、表面実装型（SMT）部品の代表的な形状の一つで、カ…
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