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- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
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2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
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- JetsonとHailoを比較
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エッジAI市場における2大巨頭、NVIDIA JetsonとHailoを比較すると、その設計思想（アーキテクチャ）の違…
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- フォトニック結晶面発光レーザー
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フォトニック結晶面発光レーザー（PCSEL: Photonic-Crystal Surface-Emitting Laser）は、次世代の光技…
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- EPS (Extended Phase Shift) / DPS (Dual Phase Shift)
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4ポート磁気結合コンバータ（MAB）において、単純な位相差制御（SPS: Single Phase Shift）の弱点を克服…
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- 裏面電源供給技術「Super Power Rail（SPR）」
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Super Power Rail（SPR）は、imecが提唱し、Intel、TSMC、Samsungなどの主要メーカーが1nm（オングスト…
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- BMC（Biphase Mark Coding） 符号化方式
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USB PDのCCラインで採用されているBMC（Biphase Mark Coding）は、データ信号とクロック信号を一つにま…
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- 高電圧（400V / 800V）システム 日本車での事例
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日本車（国内自動車メーカー）における高電圧（400V / 800V）システムの事例について、リアルな最新状況…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは
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MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは ～金属‐酸化膜‐半導体構造を持つ基本的なC–V測定用デバイス～ ■ …
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- 高電圧に耐えるように設計されたコンデンサー
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高電圧（HV）コンデンサーは、数千ボルト（V）以上の電圧に耐え、安定して動作できるように特殊な設計が…
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- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
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2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
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- 48V車載パワー・システム
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48V車載パワー・システム（48V車載電源システム）は、従来の12V電源に代わる、あるいは並列して導入され…
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- DONUT LABの全固体電池 体積エネルギー密度（サイズ感）
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DONUT LABの全固体電池における「体積エネルギー密度（サイズ感）」は、実は同社が最も明言を避けている…
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- vdW積層材料 特定の物理現象
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vdW積層材料において、従来の材料では考えられないような**「特定の物理現象」**がいくつか発見されてい…
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- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
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二次元半導体、特に**遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD：MoS2, WSe2など）**の光学的性質は、従来のバル…
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- 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度
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FIP制度（フィード・イン・プレミアム）の仕組み 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度は、従…
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- 熱によるペロブスカイト太陽電池の性能劣化をゼロにする技術
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）の最大の弱点である「熱安定性」を克服し、理論上劣化を極限まで抑えるた…
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- 高温逆バイアス試験 (HTRB) 第5世代SiC
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高温逆バイアス試験（HTRB: High Temperature Reverse Bias）は、第5世代SiC MOSFETの信頼性を評価する…
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