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SiCパワーデバイスの劣化抑制(ピン留め効果)に用いられる「MeV(メガ電子ボルト)級」のエネルギーを…
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- テスラのCybertruckで採用された48V冗長システム
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テスラが「サイバートラック(Cybertruck)」で導入した48V冗長システムは、単なる電圧の変更を超えた、…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向
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トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向(2026年初頭時点)をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
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- ペロブスカイト太陽電池
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ペロブスカイト太陽電池は、従来のシリコン製太陽電池に代わる**「次世代太陽電池」**として、今まさに…
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- α-Ga2O3(アルファ型)
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β-Ga2O3(ベータ型)が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3(アルファ型)**は「コランダム構造」を持つメ…
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- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
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DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調(二相変調)の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…
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- 疑似容量(Pseudo-capacitance)
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CNTやペロブスカイトの評価において、**疑似容量(Pseudo-capacitance)は、物理的な「電極への電荷の蓄…
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- V-F Curve(電圧・周波数曲線)
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V-F Curve(電圧・周波数曲線)とは V-F Curveは、プロセッサが特定の周波数($f$)で安定して動作する…
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- アンリツVNAとケースレーSMUの組み合わせによるPAE測定
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アンリツ(Anritsu)のVNA(ShockLineシリーズやVectorStar)と、ケースレー(Keithley)のSMU(2400シ…
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- ノベルクリスタルテクノロジー 酸化ガリウムウェーハ
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株式会社ノベルクリスタルテクノロジーは、タムラ製作所のカーブアウト(分離独立)からスタートした、…
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宇宙空間(人工衛星、宇宙探査機、月面・火星探査など)で動作するRFIC(高周波集積回路)は、地球上の…
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- 光プローブ電流センサOpECS と光アイソレーションプローブの違…
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OpECS(Optical Electric Current Sensor / 光プローブ電流センサ)と、Micsig SigOFITやTektronix IsoV…
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- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.(YMTC)
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Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (長江存儲科技有限責任公司, YMTC) は、中国の国有半導体統合デ…
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- 磁気トンネル接合(MTJ)
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パワースピン株式会社の技術の核心である**磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunneling Junction)**は…
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- 4H-SiC(4H型炭化ケイ素)MOSFET 300°C極高温動作のメリット
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4H-SiC(4H型炭化ケイ素)MOSFETは、従来のシリコン(Si)デバイスが動作限界(一般に150°C〜175°C程度…
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TTV(Total Thickness Variation:全厚偏差)制御は、半導体ウェハの「厚みの均一性」を極限まで高める…
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- 最新のTEG(Test Element Group)ケルビン
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「TEG(Test Element Group)における最新のケルビン接続(四端子法)」について、半導体プロセスの微細…
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磁性ジョセフソン接合(Ferromagnetic Josephson Junction)を用いた**π接合**は、次世代の低電力・超高…
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磁気統合(Magnetic Integration)は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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- 半導体スーパージャンクション
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スーパージャンクション(SJ)構造の概要 スーパージャンクション(SJ)構造は、パワーMOSFETの性能を…

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