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- SR-SAB 損失解析（コア損と銅損の配分）
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…
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- InfineonのCoolMOS vs ロームのPrestoMOS
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インフィニオンの CoolMOS™ とロームの PrestoMOS™ は、どちらもスーパージャンクション（SJ）構造を採…
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- トライボエレクトリック効果 微小電流測定
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微小電流測定（フェムトアンペア〜ピコアンプオーダー）において、**トライボエレクトリック効果（摩擦…
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- CFET（相補型FET）
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CFET（Complementary FET：相補型FET）は、ナノシートFETのさらに次、おそらく「サブ1nm（オングストロ…
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- ファストリカバリダイオード (FRD) SMPS
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ファストリカバリダイオード (FRD)は、順方向から逆方向に電圧が切り替わるとき、電流が遮断されるまで…
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- WolfspeedのXM3や高圧カスタムパッケージ技術
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10kV超のSiC MOSFET（例えば2026年3月に商用化されたベアダイ「CPM3-10000-0300A」など）が持つ圧倒的な…
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- 二輪車 排ガス規制 EV化
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二輪車（バイク）の排ガス規制は、近年のEVシフトを裏から強烈に後押ししている「最大の推進力」です。 …
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- スイープ機能・ロギング機能とは
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スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
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- WBG半導体とともに使用するコンデンサ
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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（…
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- チップレット構造基板向け絶縁材料
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チップレット搭載のFC-BGA基板において、世界シェアを独占し、事実上の業界標準となっているのが**「味…
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- EMIB-Tで採用されるHBM4（次世代メモリ）との連携
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2025年に詳細が発表されたEMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）は、次世代メモリ…
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- Si（シリコン）、SiO2（酸化膜）、および低誘電率（Low-k）膜
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極低温でのHF（フッ化水素）プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。 S…
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- EVにおいて、I3C EEPROMの役割
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EV（電気自動車）の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード（事実上の標準）になりつつある…
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- 線形EMSDトランスデューサ
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「線形EMSDトランスデューサ（EMSD: Electromagnetic Soft Device / Electromagnetic Smart Device）」…
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- シリコンメタサーフェスを用いた２次元ナノ材料における光・物…
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シリコンメタサーフェスと2次元（2D）ナノ材料の組み合わせは、ナノフォトニクスにおける最もホットな領…
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- EV用車載充電器（OBC）: 800Vシステム 事例 第5世代SiC
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800Vシステムを採用するEV（電気自動車）において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
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- LEVA（Light Electric Vehicle）
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LEVA（Light Electric Vehicle：小型電気車両）向けのワイヤレス給電規格は、WPC（ワイヤレスパワーコン…
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- 10kV Full-SiC 10ns立ち上がりを観測するために必要なオシロス…
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10kVという超高電圧が、わずか 10ns（ナノ秒） で立ち上がる（あるいは遮断する）超高速過渡現象を、波…
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